Transport and mobility properties of wurtzite InN and GaN

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 244, Issue 10, 2007, Pages 3711-3718

  Yarar, Zeki ^a  

^a MERSIN UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 35349009207     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200642433     Document Type: Article

References (43)

1. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 89, 5816 (2001).
2. Y. C. Yeo, T. C. Chong, and M. F. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1998).
3. W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 79, 188 (1996).
4. B. E. Foutz, S. K. O'Leary, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999).
5. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 87, 222103 (2005).
6. C. Bulutay and B. K. Ridley, Superlattices Microstruct. 36, 465 (2004).
7. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
8. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A. V. Murdryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, phys. stat. sol. (b) 229, R1 (2002).
9. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, V. V. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A. V. Mudryi, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Aderhold, J. Graul, and E. E. Haller, phys. stat. sol. (b) 230, R4 (2002).
10. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
11. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
12. A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003).
13. P. Carrier and S.-H. Wei, J. Appl. Phys. 97, 033707 (2005).
14. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
15. B. R. Nag, phys. stat. sol. (b) 237, R1 (2003).
16. S. P. Fu and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 85, 1523 (2004).
17. B. Arnaudov, T. Paskova, P. P. Paskov, B. Magnusson, E. Valcheva, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 69, 115216 (2004).
18. Q. X. Guo, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, X. D. Pu, and W. Z. Shen, Appl. Phys. Lett. 86, 231913 (2005).
19. W. Liang, K. T. Tsen, D. K. Ferry, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 84, 3681 (2004).
20. K. T. Tsen, C. Poweleit, D. K. Ferry, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 86, 222103 (2005).
21. E. Bellotti, B. K. Doshi, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 85, 916 (1999).
22. V. M. Polyakov and F. Schwierz, Appl. Phys. Lett. 88, 032101 (2006).
23. W. Walukiewicz, S. K. Li, J. Wu, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst. Growth 269, 119 (2004).
24. C. H. Swartz, R. P. Tomkins, T. H. Myers, H. Lu, and W. J. Schaff, phys. stat. sol. (c) 2, 2250 (2005).
25. F. Chen, A. N. Cartwright, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst. Growth 269, 10 (2004).
26. B. R. Nag, J. Cryst. Growth 269, 35 (2004).
27. K. Tomizawa, Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Devices (Artech House Inc, Japan, 1993).
28. B. K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, London, 1982).
29. C. Jacoboni and P. Lugli, The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation (Springer-Verlag, Wien, 1989).
30. H. Brooks and C. Herring, Phys. Rev. 83, 879 (1951).
31. E. M. Conwell and V. F. Weisskopf, Phys. Rev. 77, 388 (1950).
32. D. Chattopadhyay and H. J. Queisser, Rev. Mod. Phys. 53, 745 (1981).
33. Z. Yarar, B. Ozdemir, and M. Ozdemir, phys. stat. sol. (b) 242, 2872 (2005).
34. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
35. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
36. J. M. Barker, R. Akis, T. J. Thornton, D. K. Ferry, and S. M. Goodnick, phys. stat. sol. (a) 190, 263 (2002).
37. E. Starikov, V. Shiktorov, V. Gruzinskis, L. Reggiani, L. Varani, J. Vaissiere, and C. Palermo, Semicond. Sci. Technol. 20, 279 (2005).
38. U. V. Bhapkar and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
39. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1998).
40. J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 83, 1446 (1998).
41. J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 83, 4777 (1998).
42. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and L. F. Eastman, Solid State Commun. 105, 621 (1998).
43. V. M. Polyakov and F. Schwierz, J. Appl. Phys. 99, 113705 (2006).