Deposition of Pr- and Nd-aluminate by liquid injection MOCVD and ALD using single-source heterometallic alkoxide precursors

Chemistry of Materials

Volumn 19, Issue 19, 2007, Pages 4796-4803

  Gaskell, Jeffrey M ^a   Przybylak, Szymon ^a   Jones, Anthony C ^a,b   Aspinall, Helen C ^a   Chalker, Paul R ^a   Black, Kate ^a   Potter, Richard J ^a   Taechakumput, Pouvanart ^a   Taylor, Stephen ^a  

^a UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

^b Epichem Ltd   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; DIELECTRIC PROPERTIES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NEODYMIUM COMPOUNDS;

BIMETALLIC ALKOXIDE PRECURSORS; LIQUID INJECTION; NEODYMIUM ALUMINATE;

PRASEODYMIUM COMPOUNDS;

EID: 34948900447     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm0707556     Document Type: Article

References (27)

1. Packan, P. A. Science 1999, 285, 2079.
2. Wilk, G. D.; Wallace, R. M.; Anthony, J. M. J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
3. (a) Jones, A. C. Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 81.
4. (b) Päiväsaari, J.; Niinistö, J.; Myllymäki, P.; Dezelah, C.; Winter, C. H.; Putkonen, M.; Nieminen, M.; Niinistö, L. Top. Appl. Phys. 2007, 106, 15-32.
5. Zhu, C X.; Cho, B. J.; Li, M. F. Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 165.
6. Leskela, M.; Ritala, M. J. Solid State Chem. 2003, 171, 170.
7. Gougousi, T.; Niu, D.; Ashcraft, R. W.; Parsons, G. N. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3543.
8. Nieminen, M.; Putkonen, M.; Niinisto, L. Appl. Surf. Sci. 2001, 174, 155-165.
9. Cheng, J. B.; Li, A. D.; Shao, Q. Y.; Ling, H. Q.; Wu, D.; Wang, Y.; Bao, Y. J.; Wang, M.; Liu, Z. G.; Ming, N. B. Appl. Surf. Sci. 2004, 233, 91.
10. Aspinall, H. C.; Gaskell, J. M.; Loo, Y. F.; Jones, A. C.; Chalker, P. R.; Potter, R. J.; Smith, L. M.; Critchlow, G. W. Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 301.
11. Loo, Y. F.; Potter, R. L.; Jones, A. C.; Aspinall, H. C.; Gaskell, J. M.; Chalker, P. R.; Smith, L. M.; Critchlow, G. W. Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 306.
12. Gaskell, J. M.; Jones, A. C.; Aspinall, H. C.; Przybylak, S.; Chalker, P. R.; Black, K.; Davies, H. O.; Taechakumput, P.; Taylor, S.; Critchlow, G. W. J. Mater. Chem. 2006, 16, 3854.
13. Rao, M. R. Thin Solid Films 1997, 306, 141.
14. Brugnoni, C.; Ducati, U.; Chemelli, C.; Scagliotti, M.; Chiodelli, G. Solid State Ionics 1995, 76, 183.
15. Mathur, S.; Veith, M.; Shen, H.; Lecerf, N.; Hufner, S. Scr. Mater. 2001, 44, 2105.
16. Kosola, A.; Päiväsaari, J.; Putkonen, M.; Niinistö, L.. Thin Solid Films 2005, 479, 152.
17. Veith, M.; Mathur, S.; Shen, H.; Lecerf, N.; Hufher, S.; Jilavi, M. H. Chem. Mater. 2001, 13, 4041.
18. de Rouffignac, P.; Gordon, R. G. Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 152.
19. Vehkamaki, M.; Ritala, M.; Leskela, M.; Jones, A. C.; Davies, H. O.; Sajavaara, T.; Rauhala, E. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, F69.
20. Manning, T. D.; Loo, Y. F.; Jones, A. C.; Aspinall, H. C.; Chalker, P. R.; Bickley, J. F.; Smith, L. M.; Critchlow, G. W. J. Mater. Chem. 2005, 15, 3384.
21. Potter, R. J.; Chalker, P. R.; Manning, T. D.; Aspinall, H. C.; Loo, Y. F.; Jones, A. C.; Smith, L. M.; Critchlow, G. W.; Schumacher, M. Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 159.
22. Kwa, K. S. K.; Chattopadhyay, S.; Jankovic, N. D.; Olsen, S. H.; Driscoll, L. S.; O'Neill, A. G. Semicond. Sci. Technol. 2003, 18, 82.
23. Lupina, G.; Schroeder, T.; Dabrowski, J.; Ch, W.; Mane, A. U.; Mussig, H. J.; Hoffmann, P.; Schmeisser, D. J. Appl. Phys. 2006, 99, 114109.
24. Kim, S.-H.; Rhee, S.-W. Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 125.
25. Niinistö, J.; Putkonen, M.; Niinistö, L.; Stoll, S. L.; Kukli, K.; Sajavaara, T.; Ritala, M.; Leskelä, M. J. Mater. Chem. 2005, 15, 2271.
26. Van Elshocht, S.; Lehnen, P.; Seitzinger, B.; Abrutis, A.; Adelmann, C.; Brijs, B.; Caymax, M.; Conard, T.; De Gendt, S.; Franquet, A.; Lohe, C.; Lukosius, M.; Moussa, A.; Richard, O.; Williams, P.; Witters, T.; Zimmerman, T. P.; Heyns, M. J. Electrochem. Soc. 2006, 153, F219.
27. Lu, Y.; Buiu, O.; Hall, S.; Hurley, K. P. Microelectron. Reliab. 2005, 45, 965.