Ab initio study on intrinsic defect properties of germanium nitride considered for gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 13, 2007, Pages

  Yang, M ^a   Wang, S J ^b   Peng, G W ^a   Wu, R Q ^a   Feng, Y P ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRAPPING; ELECTRON ENERGY LEVELS; GATE DIELECTRICS; LOCAL DENSITY APPROXIMATION; SEMICONDUCTING GERMANIUM COMPOUNDS;

CONDUCTION BAND; FORMATION ENERGY; NITROGEN VACANCIES;

CRYSTAL DEFECTS;

EID: 34848822769     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2790075     Document Type: Article

References (34)

1. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 69, 327 (2006).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
3. H. Shang, M. M. Frank, E. P. Gusev, J. O. Chu, S. W. Bedell, K. W. Guarini, and M. Leong, IBM J. Res. Dev. 50, 377 (2007).
4. I. Chambouleyron and A. R. Zanatta, J. Appl. Phys. 84, 1 (1998).
5. S. J. Wang, J. W. Chai, and J. S. Pan, Appl. Phys. Lett. 89, 022105 (2006).
6. T. Maeda, T. Yasuda, M. Nishizawa, N. Miyata, Y. Morita, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 85, 3181 (2004).
7. T. Maeda, T. Yasuda, M. Nishizawa, N. Miyata, Y. Morita, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 100, 014101 (2006).
8. E. Martinez, O. Renault, L. Fourdrinier, L. Clavelier, C. L. Royer, C. Licitra, T. Veyron, J. M. Hartmann, V. Loup, and L. Vandroux, Appl. Phys. Lett. 90, 053508 (2007).
9. V. V. Afanas'ev, Y. G. Fedorenko, and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 87, 032107 (2005).
10. H. Kim, P. C. Mclntyre, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and M. Cho, Appl. Phys. Lett. 85, 2092 (2004).
11. J. R. Chavez, R. A. B. Devine, and L. Koltunski, J. Appl. Phys. 90, 4284 (2001).
12. A. Kerber, E. Cartier, L. Pantisano, R. Degraeve, T. Kauerauf, Y. Kim, G. Groeseneken, H. E. Maes, and U. Schwalke, IEEE Electron Device Lett. 24, 87 (2003).
13. C. Hobbs, L. Fonseca, V. Dhandapandi, S. Samavedam, B. Taylor, R. Hegde, H. Tseng, B. White, and P. Tobin, Tech. Dig. VLSI Symp. 2003 9.
14. J. J. Dong, O. F. Sankey, S. D. Deb, G. Wolf, and P. F. McMillan, Phys. Rev. B 61, 11979 (2000).
15. M. Yang, S. J. Wang, Y. P. Feng, G. W. Peng, and Y. Y. Sun, J. Appl. Phys. 102, 013507 (2007).
16. S. D. Mo, L. Z. Ouyang, and W. Y. Ching, Phys. Rev. Lett. 24, 5046 (1999).
17. J. E. Lowther, Phys. Rev. B 62, 5 (2000).
18. B. Molina and L. E. Sansores, Int. J. Quantum Chem. 80, 249 (2000).
19. G. Kresse and H. Hafner, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.47.558 47, 558 (1993); G. Kresse and H. Hafner, Phys. Rev. B 48, 13115 (1994).
20. G. Kresse and H. Hafner, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.47.558 47, 558 (1993); G. Kresse and H. Hafner, Phys. Rev. B 48, 13115 (1994).
21. G. Kresse and J. Furthmuller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
22. D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
23. L. N. Kantorovich, Phys. Rev. B 60, 15476 (1999).
24. S. B. Zhang and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 67, 2339 (1990).
25. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004).
26. A. S. Foster, F. L. Gejo, A. L. Shluger, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 65, 174117 (2002).
27. A. S. Foster, V. B. Sulimov, F. L. Gejo, A. L. Shluger, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 64, 224108 (2001).
28. M. Houssa, M. Touminen, M. Naili, V. Afanasev, A. Stesmans, S. Haukka, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.373587 87, 8615 (2000); M. Houssa, M. Touminen, M. Naili, V. Afanasev, A. Stesmans, S. Haukka, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 87, 062105 (2005).
29. M. Houssa, M. Touminen, M. Naili, V. Afanasev, A. Stesmans, S. Haukka, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.373587 87, 8615 (2000); M. Houssa, M. Touminen, M. Naili, V. Afanasev, A. Stesmans, S. Haukka, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 87, 062105 (2005).
30. S. J. Wang, J. W. Chai, Y. F. Dong, Y. P. Feng, N. Sutanto, J. S. Pan, and A. C. H. Huan, Appl. Phys. Lett. 88, 192103 (2006).
31. G. Shang, P. W. Peacock, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 87, 106 (2004).
32. T. Sugawara, R. Sreenivasan, and P. C. Mclntyre, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2449 (2006).
33. S. J. Wang, A. C. H. Huan, Y. L. Foo, J. W. Chai, J. S. Pan, Q. Li, Y. F. Dong, Y. P. Feng, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 4418 (2004).
34. X. Zhu and S. G. Louie, Phys. Rev. B 43, 14142 (1991).