Highly stable thermal characteristics of a novel in0.3Ga 0.7As0.99N0.01(Sb)/GaAs high-electron-mobility transistor

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 4 B, 2007, Pages 2344-2347

  Su, Ke Hua ^a   Hsu, Wei Chou ^a   Lee, Ching Sung ^b   Hu, Po Jung ^a   Hsiao, Ru Shang ^c   Chen, Jenn Fang ^c   Chi, Tung Wei ^d  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^d INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

Dilute channel; InGaAsNSb GaAs HEMT; Surfactant

Indexed keywords

CHANNEL CAPACITY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SURFACE ACTIVE AGENTS; THERMODYNAMIC STABILITY; THRESHOLD VOLTAGE;

CHANNEL GROWTH; DILUTE CHANNELS; THERMAL THRESHOLD COEFFICIENT;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 34547860107     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.2344     Document Type: Article

References (25)

1. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz: Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 1221.
2. K. Kim. and A. Zunger: Phys. Rev. Lett. 86 (2001) 2609.
3. K. D. Choquette, J. F. Klem, A. J. Fischer, O. Blum, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, W. G. Breiland, R. Sieg, K. M. Geib, J. W. Scott, and R. L. Naone: Electron. Lett. 36 (2000) 1388.
4. R. S. Hsiao, J. S. Wang, K. F. Lin, L. Wei, H. Y. Liu, C. Y. Liang, C. M. Lai, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, J. Y. Chi, and J. F. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) Ll555.
5. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang: Electron. Lett. 35 (1999) 1082.
6. P. C. Chang, A. G. Baca, N. Y. Li, X. Xie, H. Q. Hou, and E. Armour: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2262.
7. P. C. Chang, N. Y. Li, C. Monier, A. G. Baca, J. R. LaRoche, H. Q. Hou, F. Ren, and S. J. Pearton: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 113.
8. C. Monier, A. G. Baca, P. C. Chang, N. Li, H. Q. Hou, F. Ren, and S. J. Pearton: Electron. Lett. 37 (2001) 198.
9. J. S. Wang, A. R. Kovsh, R. S. Hsiao, L. P. Chen, J. F. Chen, T. S. Lay, and J. Y. Chi: J. Cryst. Growth 262 (2004) 84.
10. A. R. Kovsh, J. S. Wang, L. Wei, R. S. Shiao, J. Y. Chi,B. V. Volovik, A. F. Tsatsurnikov, and V. M. Ustinov: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1158.
11. R. S. Hsiao, J. S. Wang, K. F. Lin, L. Wei, H. Y. Liu, C. Y. Liang, C. M. Lai, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, J. Y. Chi, and J. F. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L1555.
12. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa: Electron. Lett. 36 (2000) 1379.
13. X. Yang, J. B. Heroux, L. F. Mei, and W. I. Wang: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 4068.
14. W. Ha, V. Gambin, M. Wistey, S. Bank, H. Yuen, S. Kim, and J. S. Harris, Jr.: Electron. Lett. 38 (2002) 277.
15. J. S. Wang, A. R. Kovsh, R. S. Hsiao, L. P. Chen, J. F. Chen, T. S. Lay, and J. Y. Chi: J. Cryst. Growth 262 (2004) 84.
16. S. Niki, C. L. Lin, W. S. C. Chang, and H. H. Wieder: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1339.
17. H. Carrère, X. Marie, J. Barrau, and T. Amand: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 071116-1.
18. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7 (2001) 355.
19. Y. K. Su, W. C. Chen, S. H. Hsu, J. D. Wu, S. J. Chang, R. W. Chuang, and W. R. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3372.
20. W. C. Liu, K. H. Yu, R. C. Liu, K. W. Lin, C. C. Cheng, K. P. Lin, C. H. Yen, and C. Z. Wu: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 967.
21. K. H. Yu, K. W. Lin, K. P. Lin, C. H. Yen, C. K. Wang, and W. C. Liu: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1096.
22. S. J. Yu, W. C. Hsu, Y. J. Li, and Y. J. Chen: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5942.
23. P. H. Lai, H. M. Chuang, S. F. Tsai, C. I. Kao, H. R. Chen, C. Y. Chen, and W. C. Liu: Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) 912.
24. Y. J. Li, W. C. Hsu, and S. Y. Wang: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 760.
25. P. H. Lai, S. I. Fu, Y. Y. Tsai, C. H. Yen, H. M. Chuang, S. Y. Cheng, and W. C. Liu: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 6 (2006) 52.