Strained Si n -channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 20, 2007, Pages

  Sawano, K ^a   Fukumoto, A ^a   Hoshi, Y ^a   Shiraki, Y ^a   Yamanaka, J ^b   Nakagawa, K ^b  

^a TOKYO CITY UNIVERSITY   (Japan)

^b UNIVERSITY OF YAMANASHI   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CURRENTS; ION IMPLANTATION; SILICON COMPOUNDS; THICKNESS MEASUREMENT;

MOBILITY ENHANCEMENT; RELAXED THIN LAYER;

MOSFET DEVICES;

EID: 34249109493     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2739324     Document Type: Article

References (17)

1. S. E. Thompson, M. Armstrong, C. Auth, S. Cea, R. Chau, G. Glass, T. Hoffman, J. Klaus, Z. Ma, B. Mcintyre, A. Murthy, B. Obradovic, L. Shifren, S. Sivakumar, S. Tyagi, T. Ghani, K. Mistry, M. Bohr, and Y. El-Mansy, IEEE Electron Device Lett. 25, 191 (2004).
2. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
3. J. Welser, J. L. Hoyt, S. Takagi, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1994, 373.
4. K. Rim, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1998, 707.
5. N. Sugii, K. Nakagawa, S. Yamaguchi, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 75, 2948 (1999).
6. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
7. K. A. Jenkins and K. Rim, IEEE Electron Device Lett. 23, 360 (2002).
8. K. Sawano, K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Hirose, T. Hattori, and K. Nakagawa, J. Electrochem. Soc. 150, G376 (2003).
9. K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakagawa, Appl. Phys. Lett. 83, 4339 (2003).
10. K. Sawano, Y. Hirose, Y. Ozawa, S. Koh, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, 735 (2003).
11. K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Ozawa, T. Hattori, J. Yamanaka, K. Suzuki, K. Arimoto, K. Nakagawa, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 85, 2514 (2004).
12. B. Holländer, S. Mantl, R. Liedtke, S. Mesters, H.-J. Herzog, H. Kibbel, and T. Hackbarth, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 148, 200 (1999).
13. H.-J. Herzog, T. Hackbarth, U. Seiler, U. König, M. Luysberg, B. Holländer, and S. Mantl, IEEE Electron Device Lett. 23, 485 (2002).
14. T. Hackbarth, H. Herzog, K. Hieber, U. König, S. Mantl, B. Holländer, S. Lenk, H. von Känel, M. Enciso, and F. Aniel, Solid-State Electron. 48, 1921 (2004).
15. P. M. Mooney, K. Rim, S. H. Christiansen, K. K. Chan, J. O. Chu, J. Cai, H. Chen, J. L. Jordan-Sweet, Y. Y. Yang, and D. C. Boyd, Solid-State Electron. 49, 1669 (2005).
16. C. G. Sodini, T. W. Ekstedt, and J. L. Moll, Solid-State Electron. 25, 833 (1982).
17. S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons, J. Appl. Phys. 80, 1567 (1996).