Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 42, Issue 7 A, 2003, Pages

  Sawano, Kentarou ^a   Hirose, Yoshihisa ^b   Ozawa, Yusuke ^b   Koh, Shinji ^a   Yamanaka, Junji ^c   Nakagawa, Kiyokazu ^c   Hattori, Takeo ^b   Shiraki, Yasuhiro ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b TOKYO CITY UNIVERSITY   (Japan)

^c UNIVERSITY OF YAMANASHI   (Japan)

Author keywords

Ion implantation; SiGe; Strain relaxation

Indexed keywords

HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SILICON COMPOUNDS; STRAIN; SUBSTRATES;

STRAIN RELAXATION;

THIN FILMS;

EID: 0042866043     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.42.l735     Document Type: Article

References (20)

1. Y.-J. Mii, Y.-H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir and L. C. Feldman: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1611.
2. K. Ismail, F. K. LeGoues, K. L. Saenger, M. Arafa, J. O. Chu, P. M. Mooney and B. S. Meyerson: Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 3447.
3. N. Sugii, K. Nakagawa, Y. Kimura, S. Yamaguchi and M. Miyao: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1308.
4. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel and G. P. Watson: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2263.
5. T. Irisawa, S. Tokumitsu, T. Hattori, K. Nakagawa, S. Koh and Y. Shiraki: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 847.
6. B. S. Meyerson, K. J. Uram and F. K. LeGoues: Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 2555.
7. P. M. Mooney, J. L. Jordan-Sweet, K. Ismail, J. O. Chu, R. M. Feestra and F. K. LeGoues: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2373.
8. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang and J. M. Zhou: J. Appl. Phys. 79 (1996) 1167.
9. J.-H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou and Z. H. Mai: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 3132.
10. T. Ueno, T. Irisawa, Y. Shiraki, A. Uedono and S. Tanigawa: Thin Solid Films 369 (2000) 320.
11. R. Hull, J. C. Bean, J. M. Bonar, G. S. Higashi, K. T. Short, H. Temkin and A. E. White: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 2445.
12. B. Holländer, S. Mantl, R. Liedtke, S. Mesters, H.-J. Herzog, H. Kibbel and T. Hackbarth: Nucl. Instrum. & Methods B 148 (1999) 200.
13. H. Trinkaus, B. Holländer, St. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchenbecher and T. Hackbarth: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3522.
14. B. Holländer, St. Lenk, S. Mantl, H. Trinkaus, D. Kirch, M. Luysberg, T. Hackbarth, H.-J. Herzog and P. F. P. Fichtner: Nucl. Instrum. & Methods B 175 (2001) 357.
15. M. Luysberg, D. Kirch, H. Trinkaus, B. Holländer, St. Lenk, S. Mantl, H.-J. Herzog, T. Hackbarth and P. F. P. Fichtner: J. Appl. Phys. 92 (2002) 4290.
16. L.-F. Zou, Z. G. Wang, D. Z. Sun, T. W. Fan, X. F. Liu and J. W. Zhang: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 845.
17. E. A. Stach, R. Hull, J. C. Bean, K. S. Jones and A. Nejim: Microsc. Microanal. 4 (1998) 294.
18. D. J. Lockwood and J.-M. Baribeau: Phys. Rev. B 45 (1992) 8565.
19. J. C. Tsang, P. M. Mooney, F. Dacol and J. O. Chu: J. Appl. Phys. 75 (1994) 8098.
20. K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori and Y. Shiraki: J. Cryst. Growth 251 (2003) 685.