Study of the characteristics of HfO2/Hf films prepared by atomic layer deposition on silicon

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 50, Issue 3, 2007, Pages 666-669

  Do, Seung Woo ^a   Lee, Yong Hyun ^a   Lee, Jae Sung ^b  

^a Kyungpook National University   (South Korea)

^b Uiduk University   (South Korea)

Author keywords

Atomic layer deposition (ALD); Hafnium (Hf)

Indexed keywords

EID: 34147151665     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.50.666     Document Type: Article

References (14)

1. I. S. Park, T. H. Lee, D. K. Choi and J. H. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 49, S544 (2006).
2. H. Jin, S. K. Oh, H. J. Kang, S. W. Lee, Y. S. Lee and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 46, S52 (2005).
3. J. Lu, J. Aarik, J. Sundgvist, K. Kukli, A. Harsta and J. O. Carksson, J. Crys. Growth 273, 510 (2005).
4. C. C. Yeo, M. S. Joo, B. J. Cho and S. J. Whang, Thin Solid Films 462-463, 90 (2004).
5. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
6. H. Kato, T. Nango, T. Miyagawa, T. Katagiri, K. S. Seol and Y. Ohki, J. Appl. Phys. 92, 1106 (2002).
7. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartkier, I. J. R. Baumvol, C. Krug and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
8. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson and R. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
9. S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk and M. C. Copel, Appl. Phys. Lett. 77, 2710 (2001).
10. P. H. Triyoso, M. Ramon, R. I. Hegde, D. Roan, R. Garcia. J. Baker, X. D. Wang, P. Fejes, B. E. White. Jr. and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 152, G203 (2005).
11. H. Wong, N. Zhan, K. L. Ng, M. C. Poon and C. W. Kok, Thin Solid Films 462-463, 96 (2004).
12. K. P. Bastos, C. Driemeier, R. P. Rezzi, G. V. Soares, L. Miotti, J. Morais, I. J. R. Baumvol and R. M. Wallace, mater. Sci. Eng. B 112, 134 (2004).
13. J. H. Koo and H. T. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 46, 945 (2005).
14. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).