Annealing of the divacancy-oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 75, Issue 15, 2007, Pages

  Mikelsen, M ^a   Bleka, J H ^a   Christensen, J S ^a   Monakhov, E V ^a   Svensson, B G ^a   Harkonen J ^b   Avset, B S ^c,d  

^a UNIVERSITY OF OSLO   (Norway)

^b UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^c SINTEF ICT   (Norway)

^d NORWEGIAN RADIATION PROTECTION AUTHORITY   (Norway)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34147105375     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.75.155202     Document Type: Article

References (33)

1. G. D. Watkins and J. W. Corbett., Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.121.1001 121, 1001 (1961).
2. J. W. Corbett, G. D. Watkins, R. M. Chrenko, and R. S. McDonald, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.121.1015 121, 1015 (1961).
3. Y. H. Lee and J. W. Corbett, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 10.1103/PhysRevB.13.2653 13, 2653 (1976).
4. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi, and K. Sumino, Appl. Surf. Sci. ASUSEE 0169-4332 10.1016/0169-4332(94)00344-0 85, 280 (1995).
5. E. V. Monakhov, B. S. Avset, A. Hallén and B. G. Svensson, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.65.233207 65, 233207 (2002).
6. G. Alfieri, E. V. Monakhov, B. S. Avset, and B. G. Svensson, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.68.233202 68, 233202 (2003).
7. M. Mikelsen, E. V. Monakhov, G. Alfieri, B. S. Avset, and B. G. Svensson, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72.195207 72, 195207 (2005).
8. V. P. Markevich, A. R. Peaker, S. B. Lastovskii, L. I. Murin and J. L. Lindström, J. Phys.: Condens. Matter JCOMEL 0953-8984 10.1088/0953-8984/15/ 39/002 15, S2779 (2003).
9. M. Pesola, J. von Boehm, T. Mattila, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.60.11449 60, 11449 (1999).
10. J. L. Lindström, L. I. Murin, V. P. Markevich, T. Hallberg, and B. G. Svensson, Physica B PHYBE3 0921-4526 10.1016/S0921-4526(99)00447-0 273, 291 (1999).
11. M.-A. Trauwaert, J. Vanhellemont, H. E. Maes, A.-M. van Bavel, G. Langouche, and P. Clauws, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.114276 66, 3056 (1995).
12. P. Pellegrino, P. Lévêque, J. Lalita, A. Hallén, C. Jagadish, and B. G. Svensson, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.64. 195211 64, 195211 (2001).
13. E. V. Monakhov, A. Ulyashin, G. Alfieri, A. Yu. Kuznetsov, B. S. Avset, and B. G. Svensson, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.69.153202 69, 153202 (2004).
14. T. R. Waite, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.107.463 107, 463 (1957).
15. B. G. Svensson, K.-H. Rydén, and B. M. S. Lewerentz, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.344389 66, 1699 (1989).
16. M. Mikelsen, E. V. Monakhov, B. S. Avset, and B. G. Svensson, Phys. Scr., T PHSTER 0281-1847 126, 81 (2006).
17. P. Pellegrino, Ph.D. Thesis, Royal Institute of Technology, Stockholm (2001).
18. J. H. Bleka, E. V. Monakhov, A. Ulyashin, F. D. Auret, A. Yu. Kuznetsov, B. S. Avset, and B. G. Svensson, Solid State Phenom. DDBPE8 1012-0394 108, 553 (2005).
19. K. Bonde Nielsen, L. D. Dobaczewski, K. Goscinski, R. Bendesen, O. Andersen, and B. Bech Nielsen, Physica B PHYBE3 0921-4526 10.1016/S0921-4526(99) 00437-8 273, 167 (1999).
20. A. R. Peaker, J. H. Evans-Freeman, L. Rubaldo, I. D. Hawkins, K. Vernon-Parry, and L. Dobaczewski, Physica B PHYBE3 0921-4526 10.1016/S0921-4526(99)00463-9 273, 243 (1999).
21. Y. Tokuda and T. Seki, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/15/2/308 15, 126 (2000).
22. P. Lévêque, P. Pellegrino, A. Hallén, B. G. Svensson, and V. Privitera, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B NIMBEU 0168-583X 10.1016/S0168-583X(00)00524-3 174, 297 (2001).
23. J. W. Corbett, Electron-Radiation Damage in Semiconductors and Metals, edited by, F. Seitz, and, D. Turnbull, (Academic, New York, 1966), p. 39.
24. J. Coutinho, R. Jones, S. Öberg, and P. R. Briddon, Physica B PHYBE3 0921-4526 10.1016/j.physb.2003.09.143 340, 523 (2003).
25. B. G. Svensson and J. L. Lindström, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.8709 34, 8709 (1986).
26. B. G. Svensson, J. L. Lindström, and J. W. Corbett, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.96003 47, 841 (1985).
27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. Ulyashin, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1812379 96, 7080 (2004).
28. R. C. Newman, J. H. Tucker, A. R. Brown, and S. A. McQuaid, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.349338 70, 3061 (1991).
29. H. J. Stein and S. K. Hahn, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2044159 142, 1242 (1995).
30. G. D. Watkins and J. W. Corbett, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.138.A543 138, 543 (1965).
31. J. L. Lindström, L. I. Murin, B. G. Svensson, V. P. Markevich, T. Hallberg, Physica B PHYBE3 0921-4526 10.1016/j.physb.2003.09.146 340, 509 (2003).
32. L. I. Murin, J. L. Lindström, V. P. Markevich, I. F. Medvedeva, V. J. B. Torres, J. Coutinho, R. Jones, and P. R. Briddon, Solid State Phenom. DDBPE8 1012-0394 108, 223 (2005).
33. L. I. Murin, V. P. Markevich, I. F. Medvedeva, and L. Dobaczewski, Semiconductors SMICES 1063-7826 10.1134/S1063782606110066 40, 1282 (2006).