Temperature effect on the optoelectronic properties of GaN-based light-emitting diodes with ITO p-contacts

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 5, 2007, Pages

  Su, Shui Hsiang ^a   Hou, Cheng Chieh ^a   Yokoyama, Meiso ^a   Shieh, Ruei Shiang ^a   Chen, Shi Ming ^b  

^a I SHOU UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Epitech Technology Corporation   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTROLUMINESCENCE; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMITTING DIODES; PARTICLE BEAM INJECTION; RAPID THERMAL ANNEALING; THERMAL EFFECTS;

ANNEALING TEMPERATURES; INDIUM TIN OXIDE (ITO) FILMS; INJECTION CURRENTS; OPTOELECTRONIC PROPERTIES;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 34047132728     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2709499     Document Type: Article

References (25)

1. H. W. Huang, C. C. Kao, J. T. Chu, H. C. Kuo, S. C. Wang, C. C. Yu, and C. F. Lin, Mater. Sci. Eng., B, 113, 19 (2004).
2. C. R. Lee, K. W. Seol, J. M. Yeon, D. K. Choi, and H. K. Ahn, J. Cryst. Growth, 222, 459 (2001).
3. T. Miyajima, T. Tojyo, T. Asano, K. Yanashima, S. Kijima, T. Hino, M. Takeya, S. Uchida, S. Tomiya, K. Funato, T. Asatsuma, T. Kobayashi, and M. Ikeda, J. Phys. Condens. Matter, 13, 7099 (2001).
4. C. Gaquiere, S. Trassaert, B. Boudart, and Y. Crosnier, IEEE Microw. Guid. Wave Lett., 10, 19 (2000).
5. S. S. Islam and A. F. M. Anwar, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 52, 1229 (2004).
6. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett., 22, 457 (2001).
7. D. Mistele, F. Fedler, H. Klausing, T. Rotter, J. Stemmer, O. K. Semchinova, and J. Aderhold, J. Cryst. Growth, 230, 564 (2001).
8. C. Y. Hu, Z. X. Qin, Z. Z. Chen, H. Yang, K. Wu, Q. Wang, Z. J. Yang, T. J. Yu, X. D. Hu, and G. Y. Zhang, Mater. Sci. Semicond. Process., 8, 515 (2005).
9. M. Suzuki, T. Kawakami, T. Arai, S. Kobayashi, Y. Koide, T. Uemura, S. N. Hibata, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett., 74, 275 (1999).
10. I. Fujimoto, H. Asamizu, M. Shimada, M. Moriyama, N. Shibata, and M. Murakami, J. Electron. Mater., 32, 957 (2003).
11. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys., 80, 1190 (1996).
12. Z. Z. Chen, Z. X. Qin, Y. Z. Tong, X. D. Hu, T. J. Yu, Z. J. Yang, X. M. Ding, Z. H. Li, and G. Y. Zhang, Mater. Sci. Eng., B, 100, 199 (2003).
13. B. Liu, E. Lambers, W. B. Alexander, and P. H. Holloway, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1394 (2002).
14. S. H. Su, C. C. Hou, M. Yokoyama, and S. M. Chen, Solid-State Electron., 49, 1905 (2005).
15. S. H. Su, C. C. Hou, M. Yokoyama, and S. M. Chen, J. Electrochem. Soc., 153, G87 (2006).
16. T. K. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. K. Wang, C. M. Chang, and B. R. Huang, IEEE Trans. Electron Devices, 52, 121 (2005).
17. R. H. Horng, Y. C. Lien, W. C. Peng, D. S. Wuu, C. Y. Tseng, C. H. Seieh, M. F. Huang, S. J. Tsai, and J. S. Liu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 40, 2747 (2001).
18. R. H. Horng, D. S. Wuu, Y. C. Lien, and W. H. Lan, Appl. Phys. Lett., 79, 2925 (2001).
19. S. Y. Kim, H. W. Jang, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett., 82, 61 (2003).
20. C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Kuo, W. C. Lai, Y. C. Lin, Y. P. Hsu, S. C. Shei, C. M. Tsai, H. M. Lo, J. C. Ke, and J. K. Sheu, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 2208 (2003).
21. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 468, 421 (1997).
22. C. Liu, T. Matsutani, T. Asanuma, M. Kiuchi, E. Alves, and M. Reis, J. Appl. Phys., 93, 2262 (2003).
23. S. H. Su, C. T. Tseng, C. C. Hau, M. Yokoyama, and S. M. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 971 (2004).
24. Y. Park, V. Choong, Y. Gao, B. H. Hsieh, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 68, 2699 (1996).
25. C. C. Chen, K. L. Hsieh, G. C. Chi, C. C. Chuo, J. I. Chyi, and C. A. Chang, J. Appl. Phys., 89, 5465 (2001).