Thermal annealing effects on Ni/Au contacts to p type GaN in different ambient

Materials Science and Engineering: B

Volumn 100, Issue 2, 2003, Pages 199-203

  Chen, Z Z ^a   Qin, Z X ^a   Tong, Y Z ^a   Hu, X D ^a   Yu, T J ^a   Yang, Z J ^a   Ding, X M ^a   Li, Z H ^a   Zhang, G Y ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Annealing ambient; Envelope curve method; GaN; Ohmic contact; Transmission line method (TLM)

Indexed keywords

ANNEALING; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GALLIUM NITRIDE; GOLD; NICKEL;

THERMAL ANNEALING;

OHMIC CONTACTS;

EID: 0038452439     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0921-5107(03)00106-5     Document Type: Article

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