Effect of thermal annealing on high indium content InGaN/GaN single quantum well structures

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 10, 2001, Pages 5465-5468

  Chen, Chii Chang ^a   Hsieh, Kun Long ^a   Chi, Gou Chung ^a   Chuo, Chang Cheng ^a   Chyi, Jen Inn ^a   Chang, Chin An ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035873214     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1363678     Document Type: Article

References (29)

1. T. J. Schmidt, Y.-H. Cho, G. H. Gainer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 560 (1998).
2. K. Domen, A. Kuramata, and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 72, 1359 (1998).
3. T. Deguchi, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, and S. Nakamura, Mater. Sci. Eng., B 50, 251 (1997).
4. T. Uenoyama, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.9 (1999).
5. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).
6. C. A. Tran, R. F. Karlicek, Jr., M. Schurman, A. Osinsky, V. Merai, Y. Li, Eliashevich, M. G. Brown, J. Nering, I. Ferguson, and R. Stall, J. Cryst. Growth 195, 397 (1998).
7. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, (Springer, New York, 1997).
8. B. J. Pong, C. J. Pan, Y. C. Teng, G. C. Chi, W. H. Li, K. C. Lee, and C. H. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5992 (1998).
9. C. C. Chang, G. C. Chi, and J. R. Dun, "Formation of p-type Gallium Nitride with Zn Ion Implantation," J. Electrochem. Soc. 17, 88 (1999).
10. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
11. C. J. Pan and G. C. Chi, Solid-State Electron. 43, 621 (1999).
12. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998).
13. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
14. C. T. Lee and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000).
15. E. Oh, B. Kim, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 73, 1883 (1998).
16. G. Li, S. J. Chua, J. H. Teng, W. Wang, Z. C. Feng, Y. H. Huang, and T. Osipowicz, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1507 (1999).
17. M. C. Y. Chan, E. M. T. Cheung, and E. H. Li, Mater. Sci. Eng., B 59, 283 (1999).
18. C. C. Chen, H. W. Chuang, G. C. Chi, C. C. Chuo, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 3758 (2000).
19. J. F. Muth, J. D. Brown, M. A. L. Johnson, Z. Yu, R. M. Kolbas, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G5.2 (1999).
20. C. C. Chen, K. L. Hsieh, C. C. Lee, G. C. Chi, C. C. Chuo, J. I. Chyi, and C. A. Chang (unpublished data).
21. S. Bidnyk, B. D. Little, J. J. Song, and T. J. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 75, 2163 (1999).
22. C.-C. Chou, C.-M. Lee, T.-E. Nee, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 3902 (2000).
23. C. C. Chuo, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 78, 314 (2001).
24. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, N. M. Johnson, T. Suski, and J. Jun, Appl. Phys. Lett. 73, 1281 (1998).
25. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
26. Ch. Manz, M. Kunzer, H. Obloh, A. Ramakrishnan, and U. Kaufmann, Appl. Phys. Lett. 74, 3993 (1999).
27. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
28. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 70, 2577 (1997).
29. C. C. Chen, H. W. Chuang, G. C. Chi, C. C. Chuo, J. I. Chyi, and C. A. Chang (unpublished data).