Internal structure of a molecular junction device: Chemical reduction of PtO2 by Ti evaporation onto an interceding organic monolayer

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 1, 2007, Pages 16-20

  Blackstock, Jason J ^a   Stickle, William F ^b   Donley, Carrie L ^a   Stewart, Duncan R ^a   Williams, R Stanley ^a  

^a HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

^b HEWLETT PACKARD COMPANY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EVAPORATIVE DEPOSITION; INTERNAL BURIED INTERFACES; MOLECULAR ELECTRONIC JUNCTIONS; MOLECULAR JUNCTION DEVICES;

EVAPORATION; LOGIC CIRCUITS; PLATINUM COMPOUNDS; REDUCTION; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; ULTRAHIGH VACUUM; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

MOLECULAR ELECTRONICS;

EID: 33847631242     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp066266v     Document Type: Article

References (35)

1. Stewart, D. R.; Ohlberg, D. A. A.; Beck, P. A.; Chen, Y.; Williams, R. S.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F. Nano Lett. 2004, 4, 133.
2. Lau, C. N.; Stewart, D. R.; Williams, R. S.; Bockrath, M. Nano Lett. 2004, 4, 569.
3. Chen, Y.; Jung, G. Y.; Ohlberg, D. A. A.; Li, X.; Stewart, D. R.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F.; Williams, R. S. Nanotechnology 2003, 14, 462.
4. Wu, W.; Jung, G. Y.; Olynick, D. L.; Straznicky, J.; Li, Z.; Li, X.; Ohlberg, D. A. A.; Chen, Y.; Wang, S. Y.; Liddle, J. A.; Tong, W. M.; Williams, R. S. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 2005, 80, 1173.
5. Kuekes, P. J.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. J. Appl. Phys. 2005, 97, 034301.
6. Jung, G. Y.; Johnston-Halperin, E.; Wu, W.; Yu, Z.; Wang, S. Y.; Tong, W. M.; Li, Z.; Green, J. E.; Sheriff, B. A.; Boukai, A.; Bunimovich, Y.; Heath, J. R.; Williams, R. S. Nano Lett. 2006, 6, 351.
7. Chen, J.; Reed, M. A.; Rawlett, A. M.; Tour, J. M. Science 1999, 286, 1550.
8. Collier, C. P.; Jeppesen, J. O.; Luo, Y.; Perkins, J.; Wong, E. W.; Heath, J. R.; Stoddart, J. F. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 12632.
9. Loo, Y.-L.; Lang, D. V.; Rogers, J. A.; Hsu, J. W. P. Nano Lett. 2003, 3, 913.
10. Richter, C. A.; Stewart, D. R.; Ohlberg, D. A. A.; Williams, R. S. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 2005, 80, 1355.
11. Stewart, D. R.; Ohlberg, D. A. A.; Beck, P. A.; Lau, C. N.; Williams, R. S. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 2005, 80, 1379.
12. Heath, J. R.; Kuekes, P. J.; Snider, G. S.; Williams, R. S. Science 1998, 280, 1716.
13. Snider, G.; Kuekes, P.; Hogg, T.; Williams, R. S. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 2005, 80, 1183.
14. Vuillaume, D.; Boulas, C.; Collet, J.; Allan, G.; Delerue, C. Phys. Rev. B 1998, 58, 16491.
15. Lau, C. N.; Stewart, D. R.; Bockrath, M.; Williams, R. S. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 2005, 80, 1373.
16. Zhou, C.; Deshpande, M. R.; Reed, M. A.; Jones Ii, L.; Tour, J. M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 611.
17. Reed, M. A.; Zhou, C.; Deshpande, M. R.; Muller, C. J.; Burgin, T. P.; Jones, Ii, L.; Tour, J. M. Ann. N. Y. Acad. Sci. 1998, 852, 133.
18. Collier, C. P.; Wong, E. W.; Belohradsky, M.; Raymo, F. M.; Stoddart, J. F.; Kuekes, P. J.; Williams, R. S.; Heath, J. R. Science 1999, 285, 391.
19. Chang, S. C.; Li, Z.; Lau, C. N.; Larade, B.; Williams, R. S. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3198.
20. Vuillaume, D.; Lenfant, S. Microelectron. Eng. 2003, 70, 539.
21. Jung, G. Y.; Ganapathiappan, S.; Li, X.; Ohlberg, D. A. A.; Olynick, D. L.; Chen, Y.; Tong, W. M.; Williams, R. S. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 2004, 78, 1169.
22. Nowak, A. M.; McCreery, R. L. Anal. Chem. 2004, 76, 1089.
23. Herdt, G. C.; Jung, D. R.; Czanderna, A. W. Prog. Surf. Sci. 1995, 50, 103.
24. Konstadinidis, K.; Zhang, P.; Opila, R. L.; Allara, D. L. Surf. Sci. 1995, 338, 300.
25. Jung, D. R.; Czanderna, A. W.; Herdt, G. C. J. Vac. Sci. Technol. A 1996, 14, 1779.
26. Herdt, G. C.; King, D. E.; Czanderna, A. W. Z. Phys. Chem. 1997, 202, 163.
27. Haynie, B. C.; Walker, A. V.; Tighe, T. B.; Allara, D. L.; Winograd, N. Appl. Surf. Sci. 2003, 203-204, 433.
28. de Boer, B.; Frank, M. M.; Chabal, Y. J.; Jiang, W.; Garfunkel, E.; Bao, Z. Langmuir 2004, 20, 1539.
29. Service, R. F. Science 2003, 302, 556.
30. Chen, Y.; Ohlberg, D. A. A.; Li, X. M.; Stewart, D. R.; Williams, R. S.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F.; Olynick, D. L.; Anderson, E. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1610.
31. Li, Z.; Beck, P.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Surf. Sci. 2003, 529, 410.
32. Blackstock, J. J.; Stewart, D. R.; Li, Z. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2005, 80, 1343.
33. Tighe, T. B.; Daniel, T. A.; Zhu, Z.; Uppili, S.; Winograd, N.; Allara, D. L. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 21006.
34. Kim, H.; McIntyre, P. C.; Chui, C. O.; Saraswat, K. C.; Stemmer, S. J. Appl. Phys. 2004, 96, 3467.
35. The enthalpy of formation and entropy associated with platinum dioxide has to date not been reported. Values of 100 kJ/mol and 75 J/deg/mol were respectively estimated by examination of these values for platinum sulfides and palladium sulfides and oxides.