Properties of dielectric dead layers for SrTi O3 thin films on Pt electrodes

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 3, 2007, Pages

  Finstrom, Nicholas H ^a   Cagnon, Joel ^a   Stemmer, Susanne ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MEASUREMENTS; PARALLEL-PLATE CAPACITORS; THICKNESS DEPENDENCE;

CAPACITORS; ELECTRODES; MICROSTRUCTURE; PERMITTIVITY; STRONTIUM COMPOUNDS; THIN FILMS;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33847242975     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2433745     Document Type: Article

References (33)

1. T. M. Shaw, Z. Suo, M. Huang, E. Liniger, R. B. Laibowitz, and J. D. Baniecki, Appl. Phys. Lett. 75, 2129 (1999).
2. J. J. Lee, P. Alluri, and S. K. Dey, Appl. Phys. Lett. 65, 2027 (1994).
3. C. Basceri, S. K. Streiffer, A. I. Kingon, and R. Waser, J. Appl. Phys. 82, 2497 (1997).
4. S. Zafar, R. E. Jones, P. Chu, B. White, B. Jiang, D. Taylor, P. Zurcher, and S. Gillepsie, Appl. Phys. Lett. 72, 2820 (1998).
5. P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, and P. J. v. Veldhoven, J. Appl. Phys. 76, 2405 (1994).
6. B. T. Lee and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 77, 124 (2000).
7. L. J. Sinnamon, R. M. Bowman, and J. M. Gregg, Appl. Phys. Lett. 78, 1724 (2001).
8. U. Ellerkmann, R. Liedtke, U. Boettger, and R. Waser, Appl. Phys. Lett. 85, 4708 (2004).
9. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 89, 5502 (2001).
10. A. K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, and N. Setter, J. Electroceram. 11, 5 (2003).
11. C. A. Mead, Phys. Rev. Lett. 6, 545 (1961).
12. M. Stengel and N. A. Spaldin, Nature (London) 443, 679 (2006).
13. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
14. M. Copel, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer, T. M. Shaw, and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 70, 3227 (1997).
15. C. T. Black and J. J. Welser, IEEE Trans. Electron Devices 46, 776 (1999).
16. M. Dawber and J. F. Scott, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 6848 (2002).
17. A. K. Theophilo and A. Modinos, Phys. Rev. B 6, 801 (1972).
18. J. D. Baniecki, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1457 (1999).
19. C. R. Crowell, Appl. Phys. Lett. 8, 328 (1966).
20. M. M. Saad, P. Baxter, R. M. Bowman, J. M. Gregg, F. D. Morrison, and J. F. Scott, J. Phys.: Condens. Matter 16, L451 (2004).
21. Y. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 072909 (2006).
22. S. Schmidt, J. W. Lu, S. P. Keane, L. D. Bregante, D. O. Klenov, and S. Stemmer, J. Am. Ceram. Soc. 88, 789 (2005).
23. S. Schmidt, Y.-W. Ok, D. O. Klenov, J. W. Lu, S. P. Keane, and S. Stemmer, J. Mater. Res. 20, 2261 (2005).
24. S. P. Keane, S. Schmidt, J. W. Lu, and S. Stemmer, J. Appl. Phys. 99, 033521 (2006).
25. J. W. Lu, S. Schmidt, Y.-W. Ok, S. P. Keane, and S. Stemmer, J. Appl. Phys. 98, 054101 (2005).
26. N. H. Finstrom, J. A. Gannon, N. K. Pervez, R. A. York, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 89, 242910 (2006).
27. S. Schmidt, D. O. Klenov, S. P. Keane, J. W. Lu, T. E. Mates, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 88, 131914 (2006).
28. T. Ostapchuk, Phys. Rev. B 66, 235406 (2002).
29. D. Fuchs, C. W. Schneider, R. Schneider, and H. Rietschel, J. Appl. Phys. 85, 7362 (1999).
30. K. Astafiev, Integr. Ferroelectr. 58, 1371 (2003).
31. Y. Takahashi, A. Kitahama, and T. Furukawa, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 11, 227 (2004).
32. K. Brinkman, A. Tagantsev, V. Sherman, D. Su, and N. Setter, Phys. Rev. B 73, 214112 (2006).
33. J. Im, S. K. Streiffer, O. Auciello, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 77, 2593 (2000).