Contributions to the dielectric losses of textured SrTi O3 thin films with Pt electrodes

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 5, 2005, Pages

  Lu, Jiwei ^a   Schmidt, Steffen ^a   Ok, Young Woo ^a,b   Keane, Sean P ^a   Stemmer, Susanne ^a  

^a University of California   (United States)

^b Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; DIELECTRIC LOSSES; PHASE TRANSITIONS; SAPPHIRE; SUBSTRATES;

ANNEALING ATMOSPHERES; LEAKAGE PROPERTIES; LOW-TEMPERATURE LOSS;

STRONTIUM COMPOUNDS;

EID: 25144440402     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2034649     Document Type: Article

References (60)

1. A. K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, and N. Setter, J. Electroceram. 11, 5 (2003).
2. S. Roberts, Phys. Rev. 71, 890 (1947).
3. V. L. Gurevich and A. K. Tagantsev, Adv. Phys. 40, 719 (1991).
4. K. Bethe, Philips Res. Rep., Suppl. No. 2 (1970).
5. K. Ikuta, Y. Umeda, and Y. Ishi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1211 (1995).
6. D. C. Dube, J. Baborowski, P. Muralt, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 74, 3546 (1999).
7. K. F. Astafiev, V. O. Sherman, A. K. Tagantsev, N. Setter, T. Kaydanova, and D. S. Ginley, Appl. Phys. Lett. 84, 2385 (2004).
8. O. G. Vendik, L. T. Ter-Martirosyan, and S. P. Zubko, J. Appl. Phys. 84, 993 (1998).
9. K. A. Muller and H. Burkard, Phys. Rev. B 19, 3593 (1979).
10. P. A. Fleury, J. F. Scott, and J. M. Worlock, Phys. Rev. Lett. 21, 16 (1968).
11. R. A. Cowley, Phys. Rev. Lett. 9, 159 (1962).
12. G. Shirane and Y. Yamada, Phys. Rev. 177, 858 (1969).
13. T. Sakudo and H. Unoki, Phys. Rev. Lett. 26, 851 (1971).
14. D. O. Klenov, T. R. Taylor, and S. Stemmer, J. Mater. Res. 19, 1477 (2004).
15. S. Schmidt, J. W. Lu, S. P. Keane, L. D. Bregante, D. O. Klenov, and S. Stemmer, J. Am. Ceram. Soc. 88, 789 (2005).
16. S. Schmidt, Y.-W. Ok, J. W. Lu, D. O. Klenov, S. P. Keane, and S. Stemmer, J. Mater. Res. (to be published).
17. R. F. C. Farrow, G. R. Harp, R. F. Marks, T. A. Rabedeau, M. F. Toney, D. Weller, and S. S. P. Parkin, J. Cryst. Growth 133, 47 (1993).
18. T. C. Tisone and J. Drobek, J. Vac. Sci. Technol. 9, 271 (1971).
19. M. DiBattista and J. W. Schwenk, J. Appl. Phys. 86, 4902 (1999).
20. G. R. Fox, S. Trolier-McKinstry, S. B. Krupanidhi, and L. M. Casas, J. Mater. Res. 10, 1508 (1995).
21. C. S. Hwang, M. D. Vaudin, and P. K. Schenck, J. Mater. Res. 13, 368 (1998).
22. T. Tani, Z. Xu, and D. A. Payne, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 310, 269 (1993).
23. G. W. Dietz and R. Waser, Thin Solid Films 299, 53 (1997).
24. G. W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 82, 2359 (1997).
25. T. Tamura, K. Takai, H. Noshiro, M. Kimura, S. Otani, and M. Yamada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1697 (1994).
26. S. Zafar, R. E. Jones, B. Jiang, B. White, V. Kaushik, and S. Gillespie, Appl. Phys. Lett. 73, 3533 (1998).
27. J. D. Baniecki, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1457 (1999).
28. P. C. McIntyre, J. H. Ahn, R. J. Becker, R. V. Wang, S. R. Gilbert, L. W. Mirkarimi, and M. T. Schulberg, J. Appl. Phys. 89, 6378 (2001).
29. Y. Fukuda, K. Numata, K. Aoki, A. Nishimura, G. Fujihashi, S. Okamura, S. Ando, and T. Tsukamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L453 (1998).
30. P. C. Chen, H. Miki, Y. Shimamoto, Y. Matsui, M. Hiratani, and Y. Fujisaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 5112 (1998).
31. P. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 89, 8074 (2001).
32. J. K. Schaeffer, L. R. C. Fonseca, S. B. Samavedam, Y. Liang, P. J. Tobin, and B. E. White, Appl. Phys. Lett. 85, 1836 (2004).
33. J. P. Han and T. P. Ma, Integr. Ferroelectr. 17, 471 (1997).
34. R.-V. Wang and P. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 94, 1926 (2003).
35. L. C. Feldman and J. W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis (Elsevier Science, New York, 1986).
36. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
37. S. K. Streiffer, C. Basceri, C. B. Parker, S. E. Lash, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 86, 4565 (1999).
38. N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov, and A. K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).
39. A. K. Tagantsev, N. A. Pertsev, P. Muralt, and N. Setter, Phys. Rev. B 65, 012104 (2002).
40. N. A. Pertsev, A. K. Tagantsev, and N. Setter, Phys. Rev. B 61, R825 (2000).
41. J. H. Haeni, Nature (London) 430, 758 (2004).
42. D. Fuchs, C. W. Schneider, R. Schneider, and H. Rietschel, J. Appl. Phys. 85, 7362 (1999).
43. K. Astafiev, Integr. Ferroelectr. 58, 1371 (2003).
44. S. P. Keane, S. Schmidt, J. W. Lu, and S. Stemmer (unpublished).
45. J. Krupka, R. G. Geyer, M. Kuhn, and J. H. Hinken, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 42, 1886 (1994).
46. C. Ang, A. S. Bhalla, R. Guo, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 76, 1929 (2000).
47. A. Eriksson, A. Deleniv, and S. Gevorgian, J. Appl. Phys. 93, 2848 (2003).
48. S. Saha, D. Y. Kaufman, S. K. Streiffer, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 83, 1414 (2003).
49. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectric and Related Materials (Oxford University Press, New York, 2001).
50. L. Davis and L. G. Rubin, J. Appl. Phys. 24, 1194 (1953).
51. R. Viana, P. Lunkenheimer, J. Hemberger, R. Bohmer, and A. Loidl, Phys. Rev. B 50, 601 (1994).
52. W. T. Chang, J. S. Horwitz, A. C. Carter, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, C. M. Gilmore, and D. B. Chrisey, Appl. Phys. Lett. 74, 1033 (1999).
53. J. Im, O. Auciello, and S. K. Streiffer, Thin Solid Films 413, 243 (2002).
54. V. V. Daniel, Dielectric Relaxation (Academic, London, 1967).
55. Z. Yu, C. Ang, R. Y. Guo, A. S. Bhalla, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 80, 1034 (2002).
56. C. Ang, L. E. Cross, Z. Yu, R. Guo, A. S. Bhalla, and J. H. Hao, Appl. Phys. Lett. 78, 2754 (2001).
57. X. X. Xi, H. C. Li, W. D. Si, A. A. Sirenko, I. A. Akimov, J. R. Fox, A. M. Clark, and J. H. Hao, J. Electroceram. 4, 393 (2000).
58. C. Ang, R. Guo, A. S. Bhalla, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 87, 3937 (2000).
59. O. G. Vendik and L. T. Ter-Martirosyan, J. Appl. Phys. 87, 1435 (2000).
60. G. Rupprecht and R. O. Bell, Phys. Rev. 125, 1915 (1962).