Selective area growth and properties of truncated-pyramid InGaN/GaN MQW structure on Si(111) substrate with various filling ratios

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue SUPPL. 3, 2006, Pages

  Oh, Tae Su ^a   Lee, Kang Jea ^a   Lim, Kee Young ^a   Cha, Ok Hwan ^b   Jeong, Mun Seok ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

GaN; InGaN GaN MQWs; MOCVD; Selective area growth (SAG)

Indexed keywords

EID: 33846387892     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (26)

1. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
2. S. Arulkumaran, T. Egawa, S. Matsui and H. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 86, 123503 (2005).
3. T. Tanaka, K. Uchida, A. Watanabe and S. Minagawa, Appl. Phys. Lett. 68, 976 (1996).
4. C. S. Kim, H. K. Cho, R. J. Choi, Y. B. Hahn, H. J. Lee and C. H. Hong, J. Korean Phys. Soc. 44, 133 (2004).
5. J. S. Kwak and Y. J. Park, J. Korean Phys. Soc. 45, 988 (2004).
6. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997), p. 277.
7. M. Seon, T. Prokofyeva, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 1842 (2000).
8. T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 237-239, 1099 (2002).
9. K. J. Lee, E. H. Shin, J. Y. Kim, T. S. Oh and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 45, S756 (2004).
10. A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Blasing, K. Fehse, A. Diez and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 80, 3670 (2000).
11. S. Joblot, F. Semond, Y. Cordier and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 87, 133505 (2005).
12. M. L. Lee, J. K. Sheu, W. G. Lai, S. J. Chang, Y. K. Su, M. G. Chen, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, Appl. Phys. Lett. 82, 2913 (2003).
13. M. Hao, S. Mahanty, T. Sugawara, Y. Morishima, H. Takenaka, J. Wang, S. Tottori, K. Nishino, Y. Naoi and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 85, 6497 (1999).
14. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
15. S. H. Park and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 59, 4725 (1999).
16. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahara, N. Iwaga, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, J. Cryst. Growth 189-190, 820 (1998).
17. Y. Sakata, Y. Inomoto, D. Saito, K. Komatsu and H. Hasumi, IEEE Photon. Tech. Lett. 9, 291 (1997).
18. J. Wang, M. Nozaki, Y. Ishikawa, M. Lachab, R. S. Qhalid Fareed, T. Wang and S. Sakai, Inst. Phys. Conf. Ser. 162, 829 (1999).
19. D. Mark, Z. Kawazu, T. Nakayama, Y. Mihashi, T. Takami, M. Nunoshita and T. Ozeki, J. Cryst. Growth 189-190, 87 (1998).
20. T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi and N. Sawaki, Phys. Stat. Sol. (c) 7, 2154 (2003).
21. K. Tachibana, T. Someya, S. Ishida and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 3212 (2000).
22. V. Perez-Solorzano, M. Ubl, H. Gräbeldinger, A. Gröning, H. Schweizer and M. Jetter, J. Cryst. Growth 26, 133 (2005).
23. K. Hiruma, T. Haga and M. Miyazaki, J. Cryst. Growth 102, 717 (1990).
24. S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, A. C. Abara, H. Masui, L. A. Coldren, U. K. Mishra and S. P. Den Baars, Appl. Phys. Lett. 68, 3147 (1996).
25. S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1184 (1995).
26. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Nakamura, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika and T. Maeda, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000).