GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 17, 2003, Pages 2913-2915

  Lee, M L ^a   Sheu, J K ^b   Lai, W C ^a   Chang, S J ^a   Su, Y K ^a   Chen, M G ^b   Kao, C J ^b   Chi, G C ^b   Tsai, J M ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^c South Epitaxy Corporation   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; LOW TEMPERATURE EFFECTS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTODETECTORS;

DARK CURRENTS;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 0038297114     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1570519     Document Type: Article

References (21)

1. J. I. Pankove, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 515 (1990).
2. E. Monroy, E. Muñoz, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Calleja, B. Beaumout, P. Gibart, J. A. Muñoz, and F. Cussó, Semicond. Sci. Technol. 13, 1042 (1998).
3. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. A. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 75, 247 (1999).
4. E. Monroy, M. Hamilton, D. Walker, P. Kung, F. J. Sánchez, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 74, 1171 (1999).
5. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
6. Q. Chen, J. W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 70, 2277 (1997).
7. Z. C. Huang, J. C. Chen, and D. Wickenden, J. Cryst. Growth 170, 362 (1997).
8. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 848 (2001).
9. D. Walker, E. Monroy, P. Kung, J. Wu, M. Hamilton, F. J. Sanchez, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 74, 762 (1999).
10. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
11. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
12. L. Wang, M. I. Nathan, T-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
13. C. T. Lee, Y. J. Lin, and D. S. Liu, Appl. Phys. Lett. 79, 2573 (2001).
14. J. K. Kim, H. W. Jang, C. M. Jeon, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 4655 (2002).
15. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
16. S. Lodha, D. B. Janes, and N. P. Chen, Appl. Phys. Lett. 80, 4452 (2002).
17. L. W. Yin, Y. Hwang, J. H. Lee, R. M. Kolabas, R. J. Trew, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 11, 561 (1990).
18. J. K. Sheu, C. J. Kao, M. L. Lee, W. C. Lai, L. S. Yeh, G. C. Chi, S. J. Chang, Y. K. Su, and J. M. Tsai, J. Electron. Mater. (to be published).
19. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, J. Appl. Phys. 85, 1970 (1999).
20. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, W. C. Hung, J. S. Bow, and Y. C. Yu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 729 (2000).
21. M. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academica, New York, 1970).