InGaN-based light-emitting diodes with Ni/Au transparent contacts annealed in different ambient gases

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue 4, 2004, Pages 988-992

  Kwak, Joon Seop ^a   Park, Yongjo ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

InGaN; LED; Ni Au; Ohmic contact

Indexed keywords

EID: 8644259361     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (12)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
2. S. Chae, J. Cho, J. S. Kwak, K. Ha and O. H. Nam, J. Korean Phys. Soc. 42, 492 (2003).
3. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
4. Y. H. Chio, M. H. Kim, J. H. Yi, J. Jeon, S. Khym, J. Lee, H. K. Yuh, H.-S. Son and S.-J. Leem, J. Korean Phys. Soc. 42, 129 (2003).
5. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 74, 4109 (1999).
6. J. Ho, C. Jong, C. C. Chiu, C. Huang, C. Chen and K. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
7. J. K. Sheu, Y. K, Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
8. H. H. Berger, Solid-State Electron. 15, 145 (1972).
9. L. Chen, F. Chen, J. Kai, L. Chang, J. Ho, C. Jong, C. C. Chiu, C. Huang, C. Chen and K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999).
10. T. Maeda, Y. Koide and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 75, 4145 (1999).
11. B. A. Hull, S. E. Mohney, H. S. Venugopalan and J. C. Ramer, Appl. Phys. Lett. 76, 2271 (2000).
12. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 245.