Stress and wafer bending of a -plane GaN layers on r -plane sapphire substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 10, 2006, Pages

  Roder, C ^a   Einfeldt, S ^a,d   Figge, S ^a   Paskova, T ^a   Hommel, D ^a   Paskov, P P ^b   Monemar, B ^b   Behn, U ^c   Haskell, B A ^e   Fini, P T ^e   Nakamura, S ^e  

^a UNIVERSITY OF BREMEN   (Germany)

^b LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^c University of Applied Sciences Schmalkalden   (Germany)

^d LEIBNIZ INSTITUT FÜR HÖCHSTFREQUENZTECHNIK   (Germany)

^e NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON WAFERS; STRESS ANALYSIS; VAPOR PHASE EPITAXY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

GALLIUM NITRIDE LAYERS; PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPIES; THERMAL ANISOTROPIES; WAFER BENDING;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33845225938     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2386940     Document Type: Article

References (49)

1. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L177 (1997).
2. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 57, R9435 (1998).
3. R. Langer, J. Simon, V. Ortiz, N. T. Pelekanos, A. Barski, R. Andre, and M. Godlewski, Appl. Phys. Lett. 74, 3827 (1999).
4. R. Cingolani, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
5. P. Lefebvre, Appl. Phys. Lett. 78, 1252 (2001).
6. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature (London) 406, 865 (2000).
7. Y. J. Sun, O. Brandt, S. Cronenberg, S. Dhar, H. T. Grahn, K. H. Ploog, P. Waltereit, and J. S. Speck, Phys. Rev. B 67, 041306 (2003).
8. H. M. Ng, Appl. Phys. Lett. 80, 4369 (2002).
9. M. D. Craven, P. Waltereit, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 84, 469 (2004).
10. A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 85, 5143 (2004).
11. A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L173 (2004).
12. N. F. Gardner, J. C. Kim, J. J. Wierer, Y. C. Shen, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 86, 111101 (2005).
13. B. A. Haskell, F. Wu, S. Matsuda, M. D. Craven, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 83, 1554 (2003).
14. H. Ibach, Phys. Status Solidi 31, 625 (1969).
15. P. Kung, C. J. Sun, A. Saxler, H. Ohsato, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 75, 4515 (1994).
16. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
17. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
18. T. Böttcher, S. Einfeldt, S. Figge, R. Chierchia, H. Heinke, D. Hommel, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 78, 1976 (2001).
19. J. Jasinski and Z. Liliental-Weber, J. Electron. Mater. 31, 429 (2002).
20. C. Roder, S. Einfeldt, S. Figge, and D. Hommel, Phys. Rev. B 72, 085218 (2005).
21. E. V. Etzkorn and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 89, 1025 (2001).
22. A. P. Parker, The Mechanics of Fracture and Fatigue (E. & F. N. Spon LTD, London, 1981), Chap..
23. G. H. Olsen and M. Ettenberg, J. Appl. Phys. 48, 2543 (1977).
24. L. B. Freund, J. A. Floro, and E. Chason, Appl. Phys. Lett. 74, 1987 (1999).
25. T. Dieing and B. F. Usher, Phys. Rev. B 67, 054108 (2003).
26. J. B. Wachtman, W. E. Tefft, D. G. Lam, Jr., and R. P. Stinchfield, J. Res. Natl. Bur. Stand., Sect. A 64A, 213 (1960).
27. H. Wang, C. Chen, Z. Gong, J. Zhang, M. Gaevski, M. Su, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 499 (2004).
28. M. Albrecht, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 293 (1997).
29. R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005).
30. C. Q. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L818 (2003).
31. J. M. Baranowski and S. Porowski, in Proceedings of the 23rd International Conference on The Physics of Semiconductors, edited by, M. Scheffler, and, R. Zimmermann, (World Scientific, Singapore, 1996), Vol. 1, p. 497.
32. S. Ghosh, P. Misra, H. T. Grahn, B. Imer, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 98, 026105 (2005).
33. D. F. Blossey, Phys. Rev. B 3, 1382 (1971).
34. U. Behn, A. Thamm, O. Brandt, and H. T. Grahn, Phys. Status Solidi A 180, 381 (2000).
35. K. P. Korona, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
36. B. Monemar, in Gallium Nitride (GaN) I, Semiconductors and Semimetals Vol. 50, edited by, J. I. Pankove, and, T. D. Moustakas, (Academic, San Diego, 1998), pp. 305-368.
37. Group III Nitride Semiconductor Compounds, Physics and Applications, edited by, B. Gil, (Clarendon, Oxford, 1998).
38. K. Thonke, IPAP Conf. Ser. 1, 587 (2000)
39. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
40. V. Yu. Davydov, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
41. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
42. S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002).
43. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1420 (1996).
44. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L953 (1996).
45. S. L. Chuang and C. S. Chang, Phys. Rev. B 54, 2491 (1996).
46. M. Kumagai, S. L. Chuang, and H. Ando, Phys. Rev. B 57, 15303 (1998).
47. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
48. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
49. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 1848 (1998).