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Volumn 97, Issue 20, 2006, Pages

Is the elongation of Ge huts in the low-temperature regime governed by kinetics?

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FINITE ELEMENT METHOD; LOW TEMPERATURE EFFECTS; PHASE EQUILIBRIA; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 33751028981     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.