Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 4, 2006, Pages 2041-2046

  Fissel, A ^a   Kuhne D ^a   Bugiel, E ^a   Osten, H J ^a  

^a LEIBNIZ UNIVERSITY HANNOVER   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC INSULATING MATERIALS; ENCAPSULATION; EPITAXIAL GROWTH; GADOLINIUM COMPOUNDS; INTERFACES (MATERIALS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; SILICON; SINGLE CRYSTALS;

EPITAXIAL ENCAPSULATED SOLID-PHASE EPITAXY; EPITAXIAL SILICON; SINGLE-CRYSTALLINE INSULATOR MATRICES; SOLID PHASE EPITAXY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33746498499     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2213266     Document Type: Article

References (37)

1. M. A. Olmstead, R. I. G. Uhrberg, R. D. Bringans, and R. Z. Bachrach, Phys. Rev. B 35, 7526 (1987).
2. R. M. Tromp and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett. 61, 1756 (1988).
3. U. Hessinger, M. Leskovar, and M. A. Olmstead, Phys. Rev. Lett. 75, 2380 (1995).
4. M. E. Hunter, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, M. J. Reed, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 76, 1935 (2000).
5. M.-H. Cho, D.-H. Ko, Y. K. Choi, I. W. Lyo, K. Jeong, T. G. Kim, J. H. Song, and C. N. Whang, J. Appl. Phys. 89, 1647 (2001).
6. S. Guha, N. A. Bojarczuk, and V. Narayanan, Appl. Phys. Lett. 80, 766 (2002).
7. J. P. Liu, P. Zaumseil, E. Bugiel, and H. J. Osten, Appl. Phys. Lett. 79, 671 (2001).
8. A. Fissel, H. J. Osten, and E. Bugiel, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1765 (2003).
9. T. Inoue, M. Osonoe, T. Tohda, M. Miramatus, Y. Yamamoto, A. Yamanaka, and T. Nakayama, J. Appl. Phys. 69, 8313 (1991).
10. J. T. Jones, E. T. Croke, C. M. Garland, O. J. Marsh, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2686 (1998).
11. R. W. Fathauer, N. Lewis, E. L. Hall, and L. J. Schowalter, J. Appl. Phys. 60, 3886 (1986).
12. C. G. Kim, K. P. Kim, J. H. Yang, and Ch.-Y. Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 140, 4769 (2001).
13. C. R. Wang, B. H. Müller, and K. R. Hofmann, Appl. Surf. Sci. 211, 203 (2003).
14. V. Narayanan, S. Guha, N. A. Bojarczuk, and F. M. Ross, J. Appl. Phys. 93, 251 (2003).
15. M. Yoshimoto et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L688 (1995).
16. C. G. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2650 (2000).
17. T. Asano, H. Ishiwara, and S. Furukawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 91, 337 (1987).
18. B. R. Schroeder, S. Meng, A. Bostwick, and M. A. Olmstead, Appl. Phys. Lett. 77, 1289 (2000).
19. C. R. Wang, B. H. Müller, E. Bugiel, T. Wietler, M. Bierkandt, K. R. Hofmann, and P. Zaumseil, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 2246 (2004).
20. C. R. Wang, M. Bierkandt, S. Paprotta, T. Wietler, and K. R. Hofmann, Appl. Phys. Lett. 86, 033111 (2005).
21. N. A. Bojarczuk, M. Copel, S. Guha, V. Narayanan, E. J. Preisler, F. M. Ross, and H. Shang, Appl. Phys. Lett. 83, 5443 (2003).
22. D. P. Norton, Mater. Sci. Eng., R. 43, 139 (2004).
23. D. Landheer, J. A. Gupta, G. I. Sproule, J. P. McCaffrey, M. J. Graham, K.-C. Yang, Z.-H. Lu, and W. N. Lennard, J. Electrochem. Soc. 148, G29 (2001).
24. A. Fissel, Z. Elassar, E. Bugiel, M. Czernohorsky, O. Kirfel, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 99, 074105 (2006).
25. M. Czernohorsky, A. Fissel, E. Bugiel, O. Kirfel, and H. J. Osten, Appl. Phys. Lett. 88, 152905 (2006).
26. A. A. Stelnikov, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 65, 115318 (2002).
27. N. V. Skorodumova, M. Baudin, and K. Hermansson, Phys. Rev. B 69, 075401 (2004).
28. V. E. Puchin, A. V. Puchina, M. Huisinga, and M. Reichling, J. Phys.: Condens. Matter 13, 2081 (2001).
29. F. M. Leibsle, A. Samsavar, and T.-C. Chiang, Phys. Rev. B 38, 5780 (1988).
30. T. Schroeder et al., J. Appl. Phys. 97, 074906 (2005).
31. M. Kim and H. J. Osten, Appl. Phys. Lett. 70, 2702 (1997).
32. T. Inoue, N. Sakamoto, A. Horikawa, H. Takakura, K. Takahashi, and M. Ohashi, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1371 (2003).
33. S. Kitai, O. Maida, T. Kanashima, and M. Okuyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 247 (2003).
34. M. P. Singh, C. S. Thakur, K. Shalini, S. Banerjee, N. Bhat, and S. A. Shivashankar, J. Appl. Phys. 96, 5631 (2004).
35. M. Tsutsui, M. Watanabe, and M. Asada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L 920(1999).
36. M. Zachailas and P. Streitenberger, Phys. Rev. B 62, 8391 (2000).
37. L. Tapfer and K. Ploog, Phys. Rev. B 40, 9802 (1989).