Structural characteristics of Y2O3 films grown on oxidized Si(111) surface

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 3, 2001, Pages 1647-1652

  Cho, M H ^a   Ko, D H ^a   Choi, Y K ^a   Lyo, I W ^a   Jeong, K ^a   Kim, T G ^a   Song, J H ^b   Whang, C N ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001185259     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1337920     Document Type: Article

References (25)

1. L. Manchanda and M. Gurvitch, IEEE Electron Device Lett. 9, 180 (1988).
2. D. Roy and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 62, 1056 (1993).
3. S. Hontsu, H. Tabata, M. Nakamori, J. Ishii, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 235, L774 (1996).
4. K. Harada, H. Nakanishi, H. Itozaki, and S. Yazu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 60, 934 (1991).
5. D. K. Fork, D. B. Fenner, and T. H. Geballe, J. Appl. Phys. 68, 4316 (1990).
6. T. Inoue, Y. Yamamoto, S. Koyama, S. Suzuki, and Y. Ueda, Appl. Phys. Lett. 56, 1332 (1990).
7. D. K. Fork, D. B. Fenner, G. A. Connell, J. M. Phillips, and T. H. Gabelle, Appl. Phys. Lett. 57, 1137 (1990).
8. P. Legagneux, G. Garry, C. Schwebel, C. Pellet, G. Gautherin, J. Siejka, and D. Dieumegard. Appl. Phys. Lett. 53, 1506 (1988).
9. Th. Matthee, J. Wecker, H. Behner, O. Eibl, K. Samwer, and G. Friedl, Appl. Phys. Lett. 61, 1240 (1992).
10. M. Gurvitch, L. Manchanda, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 51, 919 (1987).
11. H. Fukumoto, T. Imura, and Y. Osaka, Appl. Phys. Lett. 55, 360 (1989).
12. K. Harada, H. Nakanishi, H. Itozaki, and S. Yazu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 60, 934 (1991).
13. A. F. Jankowski, L. R. Schrawyer, and J. P. Hayer, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1548 (1993).
14. R. W. Tustison, T. E. Varitimos, D. G. Montanari, and J. M. Wahl, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2256 (1989).
15. A. Bardel, O. Eibl, T. Matthee, and J. Wecker, J. Mater. Res. 8, 2112 (1993).
16. A. C. Rastogi and R. N. Sharma, J. Appl. Phys. 71, 5041 (1992).
17. S. C. Choi, M. H. Cho, S. W. Whangbo, S. B. Kang, S. I. Lee, M. Y. Lee, and C. N. Whang, Appl. Phys. Lett. 71, 903 (1997).
18. W. Kern, RCA Rev. 31, 207 (1970).
19. W. Kern, RCA Rev. 31, 234 (1970).
20. M.-H. Cho, D.-H. Ku, K. Jeong, I. W. Lyo, S. W. Whangbo, H. B. Kim, S. C. Choi, J. H. Song, S. J. Cho, and C. N. Whang, J. Appl. Phys. 86, 198 (1999).
21. M. S. Yi, H. H. Lee, D. J. Kim, S. J. Park, D. Y. Noh, C. C. Kim, and J. H. Je, Appl. Phys. Lett. 75, 2187 (1999).
22. F. Jollet, C. Noguera, N. Thromat, M. Gautier, and J. P. Duraud, Phys. Rev. B 42, 7587 (1990).
23. Y.N. Xu, Z.Q. Gu, and W. Y. Ching, Phys. Rev. B 56, 14993 (1997).
24. S. K. Sinha, E. B. Sirota, S. Garoff, and H. B. Stanley, Phys. Rev. B 38, 2297 (1998).
25. R. L. Hendrick and J.-M. Baribeau, Phys. Rev. B 48, 9174 (1993).