Negative differential resistance in dislocation-free GaN/AlGaN double-barrier diodes grown on bulk GaN

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 17, 2006, Pages

  Golka, S ^a   Pflugl C ^a   Schrenk, W ^a   Strasser, G ^a   Skierbiszewski, C ^b   Siekacz, M ^b   Grzegory, I ^b   Porowski, S ^b  

^a VIENNA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

^b INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PLASMAS; RESONANCE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH;

GAN/ALGAN DOUBLE-BARRIER DIODES; NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE; PLASMA REACTIVE ION ETCHING; SINGLE-CRYSTAL GAN SUBSTRATES;

DIODES;

EID: 33646400859     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2199445     Document Type: Article

References (20)

1. L. Chang, L. Esaki, and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 24, 593 (1974).
2. C. Gmachl, H. M. Ng, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 77, 3722 (2000).
3. S. Nicolay, J.-F. Carlin, E. Feltin, R. Butte, M. Mosca, N. Grandjean, M. Ilegems, M. Tchernycheva, L. Nevou, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 87, 111106 (2005).
4. E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, H. Lu, X. Chen, W. J. Scha, L. F. Eastman, S. Golka, W. Schrenk, and G. Strasser, Appl. Phys. Lett. 87, 191102 (2005).
5. Y. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra, and P. Parikh, IEEE Electron Device Lett. 25, 117 (2004).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 1477 (1996).
7. K. Indlekofer, E. Doná, J. Malindretos, M. Bertelli, M. Koan, A. Rizzi, and H. Lüth, Phys. Status Solidi B 234, 769 (2002).
8. F. Sacconi, A. D. Carlo, and P. Lugli, Phys. Status Solidi A 190, 295 (2002).
9. A. Kikuchi, R. Bannai, K. Kishino, C.-M. Lee, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 81, 1729 (2002).
10. C. T. Foxon, S. V. Novikov, A. E. Belyaev, L. X. Zhao, O. Makarovsky, D. J. Walker, L. Eaves, R. I. Dykeman, S. V. Danylyuk, S. A. Vitusevich, M. J. Kappers, J. S. Barnard, and C. J. Humphreys, Phys. Status Solidi C 0, 2389 (2003).
11. A. E. Belyaev, C. T. Foxon, S. V. Novikov, O. Makarovsky, L. Eaves, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 83, 3626 (2003).
12. A. Kikuchi, R. Bannai, K. Kishino, C.-M. Lee, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 83, 3628 (2003).
13. E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, H. Wu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and L. Kirste, Appl. Phys. Lett. 86, 032110 (2005).
14. P. Klein, J. Mittereder, S. Binari, J. Roussos, D. Katzer, and D. Storm, Electron. Lett. 39, 1354 (2003).
15. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, R. J. Molnar, B. Heying, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 81, 79 (2002).
16. S. Syed, M. J. Manfra, Y. J. Wang, R. J. Molnar, and H. L. Stormer, Appl. Phys. Lett. 84, 1507 (2004).
17. I. Grzegory and S. Porowski, Thin Solid Films 367, 281 (2000).
18. C. Skierbiszewski, K. Dybko, W. Knap, M. Siekacz, W. Krupczynski, G. Nowak, M. Bockowski, J. Lusakowski, Z. R. Wasilewski, D. Maude, T. Suski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 86, 102106 (2005).
19. J. Neugebauer, T. K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 90, 056101 (2003).
20. C. Skierbiszewski, Z. R. Wasilewski, M. Siekacz, A. Feduniewicz, P. Perlin, P. Wisniewski, J. Borysiuk, I. Grzegory, M. Leszczynski, T. Suski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 86, 011114 (2005).