Tunneling effects and intersubband absorption in AlN/GaN superlattices

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 3, 2005, Pages 1-3

  Baumann, E ^a   Giorgetta, F R ^a   Hofstetter, D ^a   Wu, H ^b   Schaff, W J ^b   Eastman, L F ^b   Kirste, L ^c  

^a UNIVERSITY OF NEUCHÂTEL   (Switzerland)

^b Department of Obstetrics Gynecology   (United States)

^c FRAUNHOFER INSTITUTE FOR APPLIED SOLID STATE PHYSICS IAF   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRIC POTENTIAL; GALLIUM NITRIDE; LIGHT ABSORPTION; OSCILLATORS (ELECTRONIC);

ABSORPTION PEAKS; INTERSUBBAND ABSORPTION; PHOTOVOLTAGE; TUNNELING PROBABILITIES;

SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES;

EID: 17044389392     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1849418     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 79, 1948 (2001).
2. M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 82, 4441 (2003).
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. I. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995).
4. O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, and L. F. Eastman, J. Phys.: Condens. Matter 14, 3399 (2002).
5. C. Gmachl, H. M. Ng, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 79, 1590 (2001).
6. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
7. J. D. Heber, C. Gmachl, H. M. Ng, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 81, 1237 (2002).
8. N. Iizuka, K. Kaneko, N. Suzuki, T. Asano, S. Noda, and O. Wada, Appl. Phys. Lett. 77, 648 (2000).
9. A. Helman, M. Tchernycheva, A. Lusson, E. Warde, F. H. Julien, K. Moumanis, G. Fishman, E. Monroy, B. Daudin, D. L. Dang, E. Bellet-Amalric, and D. Jalabert, Appl. Phys. Lett. 83, 5196 (2003).
10. C. Gmachl, H. M. Ng, S. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 77, 3722 (2000).
11. A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana, Appl. Phys. Lett. 81, 1234 (2002).
12. D. Hofstetter, S.-S. Schad, H. Wu, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 83, 572 (2003).
13. A. Kikuchi, R. Bannai, K. Kishino, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 81, 1729 (2002).
14. M. J. Murphy, K. Chu, H. Wu, W. Yeo, W. J. Schaff, O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1252 (1999).
15. D. Korakakis, H. M. Ng, K. F. Ludwig, Jr, and T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 233 (1997).
16. R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. J. Schaff, J. R. Shealy, L. F. Eastman, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 3375 (2000).
17. F. Capasso, K. Mohammed, and A. Y. Cho, IEEE J. Quantum Electron. 22, 1853 (1986).
18. J. A. Smart, A. T. Schremer, N. G. Weimann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
19. V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, P. C. Ricci, A. Anedda, S. Hubbard, and D. Pavlidis, J. Appl. Phys. 94, 3875 (2003).
20. M. T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 71, 1098 (1997).
21. M. D. McCluskey, N. M. Johnson, C. G. Walle, D. P. Bour, M. Kneissl, and W. Walukiewicz, Phys. Rev. Lett. 80, 4008 (1998).