Subband and transport calculations in double n-type δ-doped quantum wells in Si

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 3, 2006, Pages

  Rodriguez Vargas, I ^a   Gaggero Sager, L M ^a  

^a UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS   (Mexico)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPROXIMATION THEORY; ELECTRON MOBILITY; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON;

EXCHANGE-CORRELATION EFFECTS; HARTREE-FOCK POTENTIAL; THOMAS-FERMI APPROXIMATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33645498126     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2168024     Document Type: Article

References (49)

1. T. Fuse, K. Kawamoto, T. Shiizaki, E. Tazou, M. Katayama, and K. Oura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 2625 (1998).
2. C. Sheng, F. Lin, D. Gong, J. Wan, Y. Fan, and X. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1206 (1998).
3. J. Wan, Z. M. Jiang, D. W. Gong, Y. L. Fan, C. Sheng, X. Wang, Q. J. Jia, W. L. Zheng, and X. M. Jiang, Phys. Rev. B 59, 10697 (1999).
4. T. Kobayashi, C. F. MacConville, G. Derenbos, M. Iwaki, and M. Aono, Appl. Phys. Lett. 74, 673 (1999).
5. S. Agan, O. A. Mironov, E. H. C. Parker, and T. E. Whall, Semicond. Sci. Technol. 15, 551 (2000).
6. J. Yuhara, K. Morita, J. Falta, B. H. Muller, and M. Horn-von Hoegen, Surf. Interface Anal. 31, 754 (2001).
7. O. D. Dubon, P. G. Evans, J. F. Chervinsky, M. J. Aziz, F. Spaepen, J. A. Golovchenko, M. F. Chisholm, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. 78, 1505 (2001).
8. L. Oberbeck, N. J. Curson, M. Y. Simmons, R. Brenner, A. R. Hamilton, S. R. Schofield, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 81, 3197 (2002).
9. P. Leveque, J. S. Christensen, A. Y. Kuznetsov, B. G. Svensson, and A. N. Larsen, J. Appl. Phys. 91, 4073 (2002).
10. V. K. Paliwal, A. G. Vedeshwar, and S. M. Shivaprasad, Surf. Sci. Lett. 513, L397 (2002).
11. A. Fujimoto, K. Kobori, T. Ohyama, and S. Ishida, Phys. Status Solidi B 230, 273 (2002).
12. Y. Jeong, M. Sakuraba, and J. Murota, Appl. Surf. Sci. 224, 197 (2004).
13. L. Oberbeck, N. J. Curson, T. Hallam, M. Y. Simmons, G. Bilger, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 85, 1359 (2004).
14. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, and M. Y. Simmons, Phys. Status Solidi A 202, 1002 (2005).
15. X. Zhu, X. Zheng, M. Pak, M. O. Tanner, and K. L. Wang, Thin Solid Films 321, 201 (1998).
16. P. E. Thompson, K. D. Hobart, M. E. Twigg, S. L. Rommel, N. Jin, P. R. Berger, R. Lake, A. C. Seabaugh, P. H. Chi, and D. S. Simons, Thin Solid Films 380, 145 (2000).
17. C. Rivas, R. Lake, W. R. Frensley, G. Klimeck, P. E. Thompson, K. D. Hobart, S. L. Rommel, and P. R. Berger, J. Appl. Phys. 94, 5005 (2003).
18. H. P. Zeindl, T. Wegehaupt, I. Eisele, H. Oppolzer, H. Reisinger, G. Tempel, and F. Koch, Appl. Phys. Lett. 50, 1164 (1987).
19. H.-M. Li, K.-F. Berggren, W.-X. Ni, B. E. Sernelius, M. Willander, and G. V. Hansson, J. Appl. Phys. 67, 1962 (1990).
20. I. Eisele, Superlattices Microstruct. 6, 123 (1989).
21. H.-J. Gossmann and F. C. Unterwald, Phys. Rev. B 47, 12618 (1993).
22. B. Sciana, D. Radziewicz, B. Paszkiewicz, M. Tlaczala, P. Sitarek, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, J. Kovac and Florovic, Vacuum 74, 263 (2004).
23. S. Modesti, R. Duca, P. Finetti, G. Ceballos, M. Piccin, S. Rubini, and A. Franciosi, Phys. Rev. Lett. 92, 086104 (2004).
24. T. Kurosawa, T. Komatsu, M. Sakuraba, and J. Murota, Mater. Sci. Semicond. Process. 8, 125 (2005).
25. L. M. R. Scolfaro, D. Beliaev, R. Enderlein, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 50, 8699 (1994).
26. E. Ozturk, Y. Ergun, H. Sari, and I. Sokmen, J. Appl. Phys. 91, 2118 (2002).
27. E. Ozturk and I. Sokmen, J. Phys. D 36, 2457 (2003).
28. J. Osvald, Physica E (Amsterdam) 23, 147 (2004).
29. J. Osvald, J. Phys. D 37, 2655 (2004).
30. E. Ozturk, H. Sari, Y. Ergun, and I. Sokmen, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 80, 167 (2005).
31. V. A. Vettchinkina, A. Blom, and K. A. Chao, Phys. Rev. B 72, 045303 (2005).
32. G. Qian, Y.-C. Chang, and J. R. Tucker, Phys. Rev. B 71, 045309 (2005).
33. X. Zheng, T. K. Carns, K. L. Wang, and B. Wu, Appl. Phys. Lett. 62, 504 (1993).
34. P. M. Koenraad, A. C. L. Heessels, F. A. P. Blom, J. A. A. J. Perenboom, and J. H. Wolter, Physica B 184, 221 (1993).
35. H. M. Shieh, W. C. Hsu, and C. L. Wu, Appl. Phys. Lett. 63, 509 (1993).
36. C. L. Wu, W. C. Hsu, H. M. Shieh, and W. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 64, 3027 (1994).
37. H.-M. Sheih, C.-L. Wu, W.-C. Hsu, Y.-H. Wu, and M.-J. Kao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1778 (1994).
38. G.-Q. Hai, N. Studart, and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 52, 11273 (1995).
39. E. Ozturk, Y. Ergun, H. Sari, and I. Sokmen, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 77, 427 (2003).
40. I. Rodriguez-Vargas, L. M. Gaggero-Sager, and V. R. Velasco, Surf. Sci. 537, 75 (2003).
41. E. Ozturk and I. Sokmen, Superlattices Microstruct. 35, 95 (2004).
42. W. Kiunke, E. Hammerl, I. Eisele, D. Schulze, and G. Gobsch, J. Appl. Phys. 72, 3602 (1992).
43. T. K. Carns, X. Zheng, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 62, 3455 (1993).
44. H. H. Radamson, M. R. Sardela, Jr., O. Nur, M. Willander, B. E. Sernelius, W.-X. Ni, and G. V. Hansson, Appl. Phys. Lett. 64, 1842 (1994).
45. I. Rodriguez-Vargas and L. M. Gaggero-Sager, Phys. Status Solidi C 2, 3634 (2005).
46. I. Rodriguez-Vargas, L. M. Gaggero-Sager, and J. C. Martinez-Orozco, Phys. Status Solidi B 242, 1043 (2005).
47. L. M. Gaggero-Sager, Modell. Simul. Mater. Sci. Eng. 9, 1 (2001).
48. L. Ioriatti, Phys. Rev. B 41, 8340 (1990).
49. L. M. Gaggero-Sager and R. Pérez-Alvarez, Appl. Phys. Lett. 70, 212 (1997).