Absorption and Raman scattering processes in InN films and dots

Journal of Crystal Growth

Volumn 269, Issue 1, 2004, Pages 22-28

  Briot, O ^a   Maleyre, B ^a   Ruffenach, S ^a   Gil, B ^a   Pinquier, C ^b   Demangeot, F ^b   Frandon, J ^b  

^a UNIVERSITÉ MONTPELLIER 2   (France)

^b UNIVERSITÉ PAUL SABATIER   (France)

Author keywords

A1. Absorption; A1. Raman scattering; A3. MOCVD; B1. InN

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; LIGHT ABSORPTION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SCATTERING; RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; THIN FILMS; X RAY ANALYSIS;

DEFORMATION POTENTIALS; INN; PHONON FREQUENCIES; RECOMBINATION PROCESSES;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 3343002244     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.092     Document Type: Conference Paper

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