Microstructural evolution of thermally treated low-dielectric constant SiOC:H films prepared by PECVD

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 3, 2006, Pages

  Das, G ^a   Mariotto, G ^a   Quaranta, A ^a  

^a UNIVERSITY OF TRENTO   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HEAT TREATMENT; HYDROGEN; MICROSTRUCTURE; PERMITTIVITY; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON COMPOUNDS;

FILM MICROSTRUCTURE; FTIR ABSORPTION; SIOC:H FILMS; VIBRATIONAL BANDS;

FILM PREPARATION;

EID: 32044438630     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2165781     Document Type: Article

References (25)

1. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovitskaya, J. Appl. Phys., 93, 8793 (2003).
2. A. Grill, V. Patel, K. P. Rodbell, E. Huang, M. R. Baklanov, K. P. Mogilnikov, M. Toney, and H.-C. Kim, J. Appl. Phys., 94, 3427 (2003).
3. R. S. List, A. Singh, A. Ralston, and G. Dixit, MRS Bull., 22, 61 (1997).
4. A. Grill and D. A. Neumayer, J. Appl. Phys., 94, 6697 (2003).
5. D. D. Burkey and K. K. Gleason, J. Appl. Phys., 93, 5143 (2003).
6. Y. W. Koh, K. P. Loh, L. Rong, A. T. S. Wee, L. Huang, and J. Sudijono, J. Appl. Phys., 93, 1241 (2003).
7. R. S. Brusa, M. Spagolla, G. P. Karwasz, A. Zecca, G. Ottaviani, F. Corni, M. Bacchetta, and E. Carollo, J. Appl. Phys., 95, 2348 (2004).
8. L. Esposito, Tesi di Laurea, Universit̀ di Modena and Reggio Emilia, Italy (2004).
9. G. Socrates, Infrared Characteristic Group Frequencies, p. 186, John Wiley, Chichester (1994).
10. L. M. Han, J.-S. Pan, S.-M. Chen, N. Balasubramaniam, J. Shi, L. S. Wong, and P. D. Foo, J. Electrochem. Soc., 148, F148 (2001).
11. A. Sassella, A. Borghesi, F. Corni, A. Monelli, G. Ottaviani, R. Tonini, B. Pivac, M. Bacchetta, and L. Zanotti, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 377 (1997).
12. Y. S. Mor, T. C. Chang, P. T. Liu, T. M. Tsai, C. W. Chen, S. T. Yan, C. J. Chu, W. F. Wu, F. M. Pan, W. Lur, and S. M. Sze, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1334 (2002).
13. Y.-H. Kim, M. S. Hwang, H. J. Kim, J. Y. Kim, and Y. Lee, J. Appl. Phys., 90, 3367 (2001).
14. G. D. Sorarù, R. Campostrini, S. Maurina, and F. Babonneau, J. Am. Ceram. Soc., 80, 999 (1997).
15. B. Dischler, A. Bubenzer, and P. Koidl, Solid State Commun., 48, 105 (1983).
16. N. Mutsukura, S.-I. Inoue, and Y. Machi, J. Appl. Phys., 72, 43 (1992).
17. H. Rubel, B. Schroder, W. Fuhs, J. Krausope, T. Ruppa, and K. Bethge, Phys. Status Solidi B, 139, 131 (1987).
18. P. H. Mutin, J. Sol-Gel Sci. Technol., 14, 27 (1999).
19. M. H. Brodesky, M. Cardona, and J. J. Cuomo, Phys. Rev. B, 16, 3556 (1977).
20. F. Fujimoto, A. Ootuka, K.-I. Komaki, Y. Iwata, I. Yamane, H. Yamashita, Y. Hashimoto, Y. Tawada, K. Nishimura, H. Okamoto, and Y. Hamakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 23, 810 (1984).
21. C. Macchi, G. Mariotto, G. P. Karwasz, A. Zecca, M. Bettonte, and R. S. Brusa, Mater. Sci. Semicond. Process., 7, 289 (2004).
22. R. Kalish, Y. Lifshitz, K. Nugent, and S. Prawer, Appl. Phys. Lett., 74, 2936 (1999).
23. L. G. Jacobsohn, R. Prioli, F. L. Freire, G. Mariotto, M. M. Lacerda, and Y. W. Chung, Diamond Relat. Mater., 9, 680 (2000).
24. G. Mariotto, G. Das, A. Quaranta, G. Della Mea, F. Corni, and R. Tonini, J. Appl. Phys., 97, 113502 (2005).
25. C. T. Kirk, Phys. Rev. B, 38, 1255 (1988).