Fabrication and analysis of polymer field-effect transistors

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 201, Issue 6, 2004, Pages 1263-1301

  Scheinert, S ^a   Paasch, G ^b  

^a ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b IFW DRESDEN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPROXIMATION THEORY; COMPUTER SIMULATION; DATA REDUCTION; ELECTRIC POTENTIAL; FERMI LEVEL; MICROELECTRONICS; MOS CAPACITORS; PHENOLS; PHOTOLITHOGRAPHY; POISSON EQUATION; RESEARCH AND DEVELOPMENT MANAGEMENT; SEMICONDUCTING POLYMERS; SILICA;

BOLTZMANN STATISTICS; GAUSSIAN DISTRIBUTION; POLYMER FIELD-EFFECT TRANSISTORS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 2942575924     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200404335     Document Type: Article

References (75)

1. A. Dodabalapur, Z. Bao, A. Makhija, J. G. Laquindanum, V. R. Raju, Y. Feng, H. E. Katz, and J. Rogers, Appl. Phys. Lett. 73, 142 (1998).
2. Th. N. Jackson, Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, and H. Klauk, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 101 (1998).
3. E. Y. Ma, S. D. Theiss, M. H. Lu, C. C. Wu, J. C. Sturm, and S. Wagner, IEDM (1997), Technical Digest, 535.
4. D. M. de Leeuw, P. W. M. Blom, C. M. Hart, C. M. J. Mutsaers, C. J. Dury, M. Matters, and H. Termeer, IEDM (1997), Technical Digest, 331.
5. Y.-Y. Lin, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, Z. Bao, W. Li, K. Baldwin, V. R. Raju, and H. E. Katz, Appl. Phys. Lett. 74, 2714 (1999).
6. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, M. Matters, and D. M. Leeuw, Appl. Phys. Lett. 73, 108 (1998).
7. H. Sirringhaus, N. Tessler, and R. H. Friend, Science 280, 1741 (1998).
8. H. Klauk, D. J. Gundlach, and Th. N. Jackson, IEEE Electr. Dev. Lett. 20, 289 (1999).
9. A. R. Brown, C. P. Jarrett, D. M. de Leeuw, and M. Matters, Synth. Met. 88, 37 (1995).
10. A. Assadi, C. Svensson, M. Willander, and O. Inganäs, Appl. Phys. Lett. 53, 195 (1988).
11. Z. Bao, A. Dodabalapur, and A. J. Lovinger, Appl. Phys. Lett. 69, 4108 (1996).
12. H. Sirringhaus, R. J. Wilson, R. H. Friend, M. Inbasekaran, W. Wu, E. P. Woo, M. Grell, and D. D. C. Bradley, Appl. Phys. Lett. 77, 406 (2000).
13. A. Afzali, C. D. Dimitrakopoulos, and T. L. Breen, J. A. Chem. Soc. 12, 8812 (2002).
14. Z. Bao, Y. Feng, A. Dodabalapur, v. R. Raju, and A. J. Loviger, Chem Mat. 9, 1299 (1997).
15. J. A. Rogers, Z. Bao, A. Makhija, and P. Braun, Adv. Mater. 11, 741 (1999).
16. H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend, T. Shimoda, M. Inbasekaran, W. Wu, and E. P. Woo, Science 290, 2123 (2000).
17. N. Stutzmann, R. H. Friend, and H. Sirringhaus, Science 299, 1881 (2003).
18. S. Scheinert, A. Scherer, T. Doll, G. Paasch, and I. Hörselmann, submitted, Appl. Phys. Lett.
19. A. Bonfiglio, F. Mamelli, and O. Sanna, Appl. Phys. Lett. 82, 3550 (2003).
20. G. Horowitz, R. Hajlaoui, D. Fichou, and A. El Kassmi, J. Appl. Phys. 85, 3202 (1999).
21. S. Scheinert, G. Paasch, S. Pohlmann, H.-H. Hörhold, and R. Stockmann, Solid-State Electron. 44, 845 (2000).
22. A. R. Brown, A. Pomp, D. M. de Leeuw, D. B. M. Klaassen, E. E. Havinga, P. Herwig, and K. Müllen, J. Appl. Phys. 79, 2136 (1996).
23. Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and Th. N. Jackson, IEEE Trans. Electron. Devices 44, 1325 (1997).
24. H. Sirringhaus, N. Tessler, D. S. Thomas, P. J. Brown, and R. H. Friend, Adv. Solid State Phys. 39, 101 (1999).
25. S. Scheinert, G. Paasch, M. Schrödner, H.-K. Roth, S. Sensfuß, and Th. Doll, J. Appl. Phys. 92, 330 (2002).
26. S. Scheinert, G. Paasch, and T. Doll, Synth. Met. 139, 233 (2003).
27. L. Torsi, A. Dodabalapur, and H. E. Katz, J. Appl. Phys. 78, 1088 (1995).
28. S. Scheinen and G. Paasch, Verhandl DPG (VI) 36, 1 (2001), 207.
29. S. Scheinen and W. Schliefke, Synth. Met. 139, 501 (2003).
30. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (John Wiley Sons, 2nd Edition, 1981).
31. G. Horowitz and Ph. Delannoy, J. Appl. Phys. 70, 469 (1991).
32. G. Horowitz, R. Hajlaoui, H. Bouchriha, R. Bourguiga, and M. Hajlaoui, Adv. Mater. 10, 923 (1998).
33. L. Aguilhon, J.-P. Bourgoin, A. Barraud, and P. Hesto, Synth. Met. 71, 1971 (1995).
34. R. Tecklenburg, G. Paasch, and S. Scheinen, Adv. Mater. Opt. Electron. 8, 285 (1998).
35. G. Horowitz, R. Hajlaoui, and P. Delannoy, J. Phys. III 5, 355 (1995).
36. F. Schauer, J. Appl. Phys. 86, 524 (1999).
37. G. Horowitz, Adv. Mater. 10, 365 (1998).
38. G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, and R. Hajlaoui, J. Appl. Phys. 87, 4456 (2000).
39. T. Lindner, G. Paasch, and S. Scheinen, submitted, J. Mater. Res.
40. S. Scheinert, G. Paasch, P. H. Nguyen, S. Berleb, and W. Bruiting, Proc. ESSDERC' 2000 (Frontier Group, Paris, (2000) 444.
41. P. H. Nguyen, S. Scheinen, S. Berleb, W. Bruiting, and G. Paasch, Org. Electron. 2, 105 (2001).
42. G. Paasch and S. Scheinen, Synth. Met. 122, 145 (2001).
43. A. Nesterov, G. Paasch, S. Scheinen, and T. Lindner, Synth. Met. 130, 165 (2002).
44. G. Paasch, A. Nesterov, and S. Scheinen, Synth. Met. 139, 425 (2003).
45. ATLAS User's Manual: Device Simulation Software (SILVACO International, Santa Clara, 1998).
46. ISE TCAD, Integrated Systems Engineering AG, Zurich, Switzerland, 1995-1999.
47. M. A. Alam, A. Dodabalapur, and M. R. Pint, IEEE Trans. Electron. Devices. 44, 332 (1997).
48. N. Tessler and Y. Roichman, Appl. Phys. Lett. 79, 2987 (2001).
49. Y. Roichman and N. Tessler, Appl. Phys. Lett. 80, 151 (2002).
50. T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, I. H. Campbell, and D. L. Smith, J. Appl. Phys. 91, 4312 (2002).
51. T. Li, P. P. Ruden, I. H. Campbell, and D. L. Smith, J. Appl. Phys. 93, 4017 (2003).
52. H. S. Momose, S. Nakamura, Y. Katsumata and H. Iwai, Proc. ESSDERC' 1997 (Frontier Group, Paris, (1997) 133.
53. P. W. M. Blom, M. J. M. de Jong, and M. G. van Munster, Phys. Rev B 55, R656 (1997).
54. P. W. M. Blom and M. C. J. M. Vissenberg, Phys. Rev. Lett. 80, 3819 (1998).
55. A. Ioannidis, E. Forsythe, Y. Gao, M. W. Wu, and E. M. Conwell, Appl. Phys. Lett. 72, 3038 (1998).
56. M. C. J. M. Vissenberg and M. Matters, Phys. Rev. B 57, 12964 (1998).
57. G. Paasch, P. H. Nguyen, and S.-L. Drechsler, Synth. Met. 97, 255 (1998).
58. G. Paasch, P. H. Nguyen, and A. Fischer, Chem. Phys. 227, 219 (1998).
59. H. Bässler, phys. stat. sol. (b) 175, 15 (1993).
60. S. D. Baranovskii, H. Cordes, F. Hensel, and Leising, Phys. Rev B 62, 7934 (2000).
61. Y. Roichman, N. Tessler, Appl. Phys. Lett. 80, 1948 (2002).
62. J. H. Schön, C. Kloc, R. A. Laudise, and B. Batlogg, Phys. Rev. B 58, 12952 (1998).
63. A. R. Brown, D. M. de Leeuw, E. E. Havinga, and A. Pomp, Synth. Met. 68, 65 (1994).
64. G. Paasch, T. Lindner, and S. Scheinen, Synth. Met. 132, 97 (2002).
65. E. J. Meijer, D. M. De Leeuw, S. Setayesh, E. Van Veenendaal, B.-H. Huisman, P. W. M. Blom, J. C. Hummelen, U. Scherf, and T. M. Klapwijk, Nature Mater. 2, 678 (2003).
66. H. Sirringhaus, Nature Mater. 2, 641 (2003).
67. P. J. Brown, H. Sirringhaus, M. Harrison, M. Shkunov, and R. H. Friend, Phys. Rev. B 63, 125204 (2001).
68. P. Barta, J. Sanetra, P. Grybos, S. Niziol, and M. Trznades, Synth. Met. 94, 115 (1998).
69. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, S. Ponomarenko, St. Kirchmeyer, and W. Weber, J. Appl. Phys. 93, 2977 (2003).
70. W. Fix, A. Ullmann, J. Ficker, and W. Clemens, Appl. Phys. Lett. 81, 1735 (2002).
71. Ch.-K. Song, B.-W. Koo, S.-B. Lee, and D.-H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 2730 (2002).
72. G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 77, 1487 (2000).
73. Y. Zhang, J. R. Petta, S. Ambily, Y. Shen, D. C. Ralph, and G. G. Malliaras, Adv. Mater. 15, 1632 2003.
74. Y. S. Yang, S. H. Kim, J. L. Lee, H. Y. Chu, L. Do, H. Lee, J. Oh, T. Zyung, M. K. Ryu, and M. S. Jang, Appl. Phys. Lett. 80, 1595 (2002).
75. G. Paasch, S. Scheinen, and K. Tarnay, phys. stat. sol. (a) 149, 751 (1995).