Effect of Cl2/Ar dry etching on p -GaN with Ni/Au metallization characterization

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 25, 2005, Pages 1-3

  Hsueh, Kuang Po ^a   Hsu, Hung Tsao ^a   Wang, Che Ming ^a   Huang, Shou Chian ^a   Hsin, Yue Ming ^a   Sheu, Jinn Kong ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHLORINE COMPOUNDS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GALLIUM NITRIDE; GOLD; METALLIZING; NICKEL; PRESSURE EFFECTS; SURFACE ROUGHNESS;

CL2/AR DRY ETCHING; ETCHING RATES; NI/AU METALLIZATION; ROOT-MEAN-SQUARE (RMS);

DRY ETCHING;

EID: 29144477620     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2149156     Document Type: Article

References (22)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L217 (1996).
3. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
4. M. Asif Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
5. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1993).
6. T. Makimoto, Y. Yamauchi, and K. Kumakura, Appl. Phys. Lett. 84, 1964 (2004).
7. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 80, 1225 (2002).
8. T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 380 (2001).
9. F. Ren, J. Han, R. Hickman, J. M. Van Hove, P. P. Chow, J. J. Klaassen, J. R. LaRoche, K. B. Jung, H. Cho, X. A. Cao, S. M. Donovan, R. F. Kopf, R. G. Wilson, A. G. Baca, R. J. Shul, L. Zhang, C. G. Willison, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 44, 239 (2000).
10. K. P. Lee, A. P. Zhang, G. Dang, F. Ren, J. Han, J. Han, S. N. G. Chu, W. S. Hobson, J. Lopata, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. W. Lee, Solid-State Electron. 45, 243 (2001).
11. L. S. McCarthy, I. P. Smorchkova, H. Xing, P. Kozodoy, P. Fini, J. Limb, D. L. Pulfrey, J. S. Speck, M. J. W. Rodwell, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 543 (2001).
12. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, M. J. W. Rodwell, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 20, 277 (1999).
13. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
14. J.-L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynn, Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999).
15. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. Hong, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 69, 1426 (1996).
16. C.-C. Kao, H. W. Huang, J. Y. Tsai, C. C. Yu, C. F. Lin, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Mater. Sci. Eng., A 107, 283 (2004).
17. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang, and W. C. Hung, J. Appl. Phys. 85, 1970 (1999).
18. C. C. Yu, C. F. Chu, J. Y. Tsai, H. W. Huang, T. H. Hsueh, C. F. Lin, and S. C. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L910 (2002).
19. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
20. R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, J. Han, J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, and S. M. Donovan, Solid-State Electron. 42, 2269 (1998).
21. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 30, 55 (2000).
22. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 1430 (1999).