Electronic properties of InN nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 25, 2005, Pages 1-3

  Cheng, Guosheng ^a   Stern, Eric ^a   Turner Evans, Daniel ^a   Reed, Mark A ^a  

^a YALE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NANOWIRES (NW); VAPOR-SOLID METHOD; WURTZITE;

CRYSTALS; ELECTRIC WIRE; ELECTRONIC PROPERTIES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; INDIUM COMPOUNDS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 29144473725     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2141927     Document Type: Article

References (36)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and H. M. Seno, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
2. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
3. S. Strife and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
4. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
5. D. Zhuang and J. H. Edgar, Mater. Sci. Eng., R. 48, 1 (2005).
6. K. S. A. Butcher and T. L. Tansley, Superlattices Microstruct. 38, 1 (2005).
7. Z. G. Qian, W. Z. Shen, H. Ogawa, and Q. X. Guo, J. Phys.: Condens. Matter 16, R381 (2004).
8. Q. X. Guo, T. Tanaka, and M. Nishio, Appl. Phys. Lett. 86, 231913 (2005).
9. H. L. Xiao, X. L. Wang, J. X. Wang, N. H. Zhang, H. X. Liu, Y. P. Zeng, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 276, 401 (2005).
10. K. M. Yu, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager, S. X. Li, R. E. Jones, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 86, 071910 (2005).
11. E. Tiras, D. Zanato, S. Mazzucato, N. Balkan, and W. J. Schaff, Superlattices Microstruct. 36, 473 (2004).
12. Y. Saito, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L91 (2001).
13. H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 79, 1489 (2001).
14. Y. Huang, H. Wang, Q. Sun, J. Chen, D. Y. Li, Y. T. Wang, and H. Yang, J. Cryst. Growth 276, 13 (2005).
15. D. A. Neumayer and J. G. Ekerdt, Chem. Mater. 8, 9 (1996).
16. A. Yamamoto, M. Tsujino, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 137, 415 (1994).
17. S. Vaddiraju, A. Mohite, A. Chin, M. Meyyappan, G. Sumanasekera, B. W. Alphenaar, and M. K. Sunkara, Nano Lett. 5, 1625 (2005).
18. L. W. Yin, Y. Bando, D. Golberg, and M. S. Li, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 1833 (2004).
19. M. C. Johnson, C. J. Lee, E. D. Bourret-Courchesne, S. L. Konsek, S. Aloni, W. Q. Han, and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 85, 5670 (2004).
20. C. H. Liang, L. C. Chen, J. S. Hwang, K. H. Chen, Y. T. Hung, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 81, 22 (2002).
21. Z. H. Lan, W. M. Wang, C. L. Sun, S. C. Shi, C. W. Hsu, T. T. Chen, K. H. Chen, C. C. Chen, Y. F. Chen, and L. C. Chen, J. Cryst. Growth 269, 87 (2004).
22. J. Zhang, B. L. Xu, F. H. Jiang, Y. D. Yang, and J. P. Li, Phys. Lett. A 337, 121 (2005).
23. T. Tang, S. Han, W. Jin, X. L. Liu, C. Li, D. H. Zhang, C. W. Zhou, B. Chen, J. Han, and M. Meyyapan, J. Mater. Res. 19, 423 (2004).
24. C. Y. Chang, G. C. Chi, W. M. Wang, L. C. Chen, K. H. Chen, F. Ren, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 87, 093112 (2005).
25. J. Zhang, L. Zhang, X. Peng, and X. Wang, J. Mater. Chem. 12, 802 (2002).
26. K. Sardar, F. L. Deepak, A. Govindaraj, M. M. Seikh, and C. N. R. Rao, Small 1, 91 (2004).
27. B. Schwenzer, L. Loeffler, R. Seshardri, S. Keller, F. F. Lange, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Mater. Chem. 14, 637 (2004).
28. E. Stern, G. Cheng, C. Li, J. Klemic, E. Broomfield, D. Turner-Evans, C. Zhou, and M. A. Reed, J. Vac. Sci. Technol. B (to be published).
29. M. Kuball, J. W. Pomeroy, M. Wintrebert-Fouquet, K. S. A. Butcher, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst. Growth 269, 59 (2004).
30. A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003).
31. E. Stern, G. Cheng, E. Cimpoiasu, R. Klie, S. Guthrie, J. F. Klemic, I. Kretzschmar, E. Steinlauf, D. Turner-Evans, E. Broomfield, J. Hyland, R. Koudelka, T. Boone, M. Young, A. Sanders, R. Munden, T. Lee, D. Routenberg, and M. A. Reed, Nanotechnology (to be published).
32. A. Yamamoto, T. Shin-Ya, T. Sugiura, and A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 189/190, 461 (1998).
33. C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Ren, and P. W. Wisk, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 179 (1993).
34. W. A. Bryden, S. A. Ecelberger, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 64, 2864 (1994).
35. Y. Sato and S. Sato, J. Cryst. Growth 146, 262 (1994).
36. T. L. Tansley and C. P. Foley, Electron. Lett. 20, 1066 (1984).