Photoluminescence study of Sb-doped p -type ZnO films by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 25, 2005, Pages 1-3

  Xiu, F X ^a   Yang, Z ^a   Mandalapu, L J ^a   Zhao, D T ^a   Liu, J L ^a  

^a University of California Riverside   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPANT-ACTIVATED SAMPLES; HOLE CONCENTRATIONS; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA; SB-DOPED P -TYPE ZNO FILMS;

BAND STRUCTURE; BINDING ENERGY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR DOPING; THERMAL EFFECTS;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 29144449332     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2146208     Document Type: Article

References (25)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
2. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 932 (2004).
3. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
4. J. M. Bian, X. M. Li, C. Y. Zhang, W. D. Yu, and X. D. Gao, Appl. Phys. Lett. 85, 4070 (2004).
5. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
6. H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Liu, Z. Z. Zhang, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
7. J. G. Lu, Z. Z. Ye, F. Zhuge, Y. J. Zeng, B. H. Zhao, and L. P. Zhu, Appl. Phys. Lett. 85, 3134 (2004).
8. E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Kossut, R. Butkute, W. Dobrowolski, R. Łukasiewicz, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska, E. Przeździecka, M. Aleszkiewicz, P. Wojnar, and E. Kowalczyk, Phys. Status Solidi C 2, 1119 (2005).
9. X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L. Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young, and T. J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1342 (2003).
10. D. K. Hwang, H. S. Kim, J. H. Lim, J. Y. Oh, J. H. Yang, S. J. Park, K. K. Kim, D. C. Look, and Y. S. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 151917 (2005).
11. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim, Phys. Status Solidi A 201, 2837 (2004).
12. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
13. Z. Q. Chen, A. Kawasuso, Y. Xu, H. Naramoto, X. L. Yuan, T. Sekiguchi, R. Suzuki, and T. Ohdaira, J. Appl. Phys. 97, 013528 (2005).
14. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
15. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener II, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
16. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 062101 (2005).
17. T. S. Jeong, M. S. Han, C. J. Youn, and Y. S. Park, J. Appl. Phys. 96, 175 (2004).
18. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 87, 152101 (2005).
19. A. Teke, Ü. Özgür, S. Doǧan, X. Gu, and H. Morko̧, Phys. Rev. B 70, 195207 (2004).
20. B. X. Lin, Z. X. Fu, and Y. B. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
21. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
22. K. Tamura, T. Makino, A. Tsukazaki, M. Sumiya, S. Fuke, T. Furumochi, M. Lippmaa, C. H. Chia, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Solid State Commun. 127, 265 (2003).
23. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. StraΒburg, M. Dworzak, U. Haboeck, and A. V. Rodina, Phys. Status Solidi B 241, 231 (2004).
24. L. J. Wang and N. C. Giles, J. Appl. Phys. 94, 973 (2003).
25. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).