Hf-aluminate films with and without an interfacial layer during growth and postannealing structural and electrical characteristics

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 8, Issue 11, 2005, Pages

  Chung, K B ^a,b   Chang, H S ^b   Lee, S H ^b   Whang, C N ^a   Ko, D H ^a   Kim, H ^c   Moon, D W ^b   Cho, M H ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

^c Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; CRYSTALLIZATION; DEPOSITION; DIFFUSION; ELECTRIC VARIABLES MEASUREMENT; OXIDATION; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; HF-ALUMINATE FILMS; INTERFACIAL LAYERS; ION SCATTERING SPECTROSCOPY;

THIN FILMS;

EID: 27744556165     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2041334     Document Type: Article

References (27)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, San Jose, CA 2001.
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London), 406, 1032 (2000).
3. G. D. Wilk and R. W. Wallace, Appl. Phys. Lett., 76, 112 (2000).
4. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
5. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and I. M. Anthony, J. Appl. Phys., 87, 484 (2000).
6. G. B. Alers, D. I. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. S. Urdahl, Appl. Phys. Lett., 73, 1317 (1998).
7. M.-Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, P. I. Raisanen, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett., 81, 4218 (2002).
8. M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett., 81, 1071 (2002).
9. H. S. Chang, H. Hwang, M.-H. Cho, D. W. Moon, S. J. Don, J. H. Lee, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett., 84, 28 (2004).
10. M.-H. Cho, H. S. Chang, Y. J. Cho, D. W. Moon, K.-H. Min, R. Sinclair, S. K. Kang, D.-H. Ko, J. H. Lee, J. H. Gu, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett., 84, 571 (2004).
11. M.-H. Cho, K. B. Chung, H. S. Chang, D. W. Moon, S. A. Park, Y. K. Kim, K. Jeong, C. N. Whang, D. W. Lee, D.-H. Ko, S. J. Doh, J. H. Lee, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett., 85, 4115 (2004).
12. H. Kim, P. C. Mclntyre, and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett., 82, 106 (2003).
13. W. Kern, RCA Rev., 31, 207 (1970).
14. W. Kern, RCA Rev., 31, 235 (1970).
15. J. F. van der Veen, Surf. Sci. Rep., 5, 199 (1985).
16. M. A. Alam and M. L. Green, J. Appl. Phys., 94, 3403 (2003).
17. H. Watanabe, K. Fujita, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett., 70, 1095 (1997).
18. Y. Kobayashi and K. Sugii, J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 2308 (1992).
19. K. E. Johnson and T. Engel, Phys. Rev. Lett., 69, 339 (1992).
20. M. L. Green, M.-Y. Ho, B. Busch, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conard, B. Brijs, W. Vandrvorst, P. I. Räisänen, D. Muller, M. Bude, and J. Grazul, J. Appl. Phys., 92, 7168 (2002).
21. K. B. Chung, H. S. Chang, C. N. Whang, D. W. Moon, and M.-H. Cho, J. Appl. Phys., In preparation.
22. H. S. Chang, H. Hwang, M.-H. Cho, H. K. Kim, D. W. Moon, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 165 (2004).
23. T. Emoto, K. Akimoto, Y. Yoshida, A. Ichimiya, T. Nabatame, and A. Toriumi, Appl. Surf. Sci., 244, 55 (2005).
24. Y. Kido and T. Koshikwa, J. Appl. Phys., 67, 187 (1990).
25. I. R. Tesmer and M. Nastasi, Handbook of Modern Ion Beam Materials Analysis, Materials Research Society, Warrendale, PA.
26. R. S. Johnson, J. G. Hong, C. Hinkle, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1126 (2002).
27. E. M. Vogel, W. K. Henson, C. A. Richter, and J. S. Suehle, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 601 (2000).