Compressive strain dependence of hole mobility in strained Ge channels

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 19, 2005, Pages 1-3

  Sawano, K ^a   Abe, Y ^a   Satoh, H ^a   Shiraki, Y ^a   Nakagawa, K ^b  

^a TOKYO CITY UNIVERSITY   (Japan)

^b UNIVERSITY OF YAMANASHI   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIBILITY; DOPING (ADDITIVES); GERMANIUM; LIGHT SCATTERING; PHONONS;

BUFFER LAYERS; CHANNEL MODULATION; COMPRESSIVE STRAIN; STRAIN DEPENDENCE;

HOLE MOBILITY;

EID: 27644529382     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2126114     Document Type: Article

References (20)

1. S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons, J. Appl. Phys. 80, 1567 (1996).
2. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Phys. Rev. B 58, 9941 (1998).
3. T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake, A. Kurobe, and A. Toriumi, IEEE Electron Device Lett. 21, 230 (2000).
4. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
5. C. W. Leitz, M. T. Currie, M. L. Lee, Z.-Y. Cheng, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 92, 3745 (2002).
6. M. V. Fischetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996).
7. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett. 63, 2263 (1993).
8. M. L. Lee and E. A. Fitzgerald, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 429.
9. S. Madhavi, V. Venkataraman, and Y. H. Xie, J. Appl. Phys. 89, 2497 (2001).
10. M. L. Lee and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 83, 4202 (2003).
11. R. J. H. Morris, D. R. Leadley, R. Hammond, T. J. Grasby, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, J. Appl. Phys. 96, 6470 (2004).
12. H. von Känel, M. Kummer, G. Isella, E. Müller, and T. Hackbarth, Appl. Phys. Lett. 80, 2922 (2002).
13. B. Rössner, D. Chrastina, G. Isella, and H. von. Känel, Appl. Phys. Lett. 84, 3058 (2004).
14. M. Myronov, T. Irisawa, O. A. Mironov, S. Koh, Y. Shiraki, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, Appl. Phys. Lett. 80, 3117 (2002).
15. T. Irisawa, S. Tokumitsu, T. Hattori, K. Nakagawa, S. Koh, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 81, 847 (2002).
16. K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 82, 412 (2003).
17. K. Sawano, K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Hirose, T. Hattori, and K. Nakagawa, J. Electrochem. Soc. 150, G376 (2003).
18. E. A. Fitzgerald, Y. -H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. -J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
19. J. -H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett. 71, 3132 (1997).
20. T. Irisawa, M. Myronov, O. A. Mironov, E. H. C. Parker, K. Nakagawa, M. Murata, S. Koh, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 82, 1425 (2003).