Mobility enhancement in strained Si modulation-doped structures by chemical mechanical polishing

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 3, 2003, Pages 412-414

  Sawano, K ^a   Koh, S ^a   Shiraki, Y ^a   Hirose, Y ^b   Hattori, T ^b   Nakagawa, K ^c  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b TOKYO CITY UNIVERSITY   (Japan)

^c UNIVERSITY OF YAMANASHI   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING; ELECTRON GAS; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON COMPOUNDS; TRANSPORT PROPERTIES;

MOBILITY ENHANCEMENT;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0037455218     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1539557     Document Type: Article

References (17)

1. S. Takagi, J. L. Hoyt, J. J. Welser, and J. F. Gibbons, J. Appl. Phys. 80, 1567 (1996).
2. J. J. Welser, J. L. Hoyt, S. Takagi, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 373 (1994).
3. K. Rim, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 707 (1998).
4. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Phys. Rev. B 58, 9941 (1998).
5. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett. 63, 2263 (1993).
6. T. Irisawa, S. Tokumitsu, T. Hattori, K. Nakagawa, S. Koh, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 81, 847 (2002).
7. N. Sugii, K. Nakagawa, S. Yamaguchi, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 75, 2948 (1999).
8. A. C. Curchill, D. J. Robbins, D. J. Wallis, N. Griffin, D. J. Paul, A. J. Pidduck, W. Y. Leong, and G. M. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1634 (1998).
9. S. B. Samavedam and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 81, 3108 (1997).
10. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
11. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
12. N. Sugii, J. Appl. Phys. 89, 6459 (2001).
13. Z.-Y. Cheng, M. T. Currie, C. W. Leitz, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, J. L. Hoyt, and D. A. Antoniadas, IEEE Electron Device Lett. 22, 321 (2001).
14. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'Emic, R. M. Andersen, S. J. Koester, and H.-S. P. Wong, Appl. Phys. Lett. 78, 1267 (2001).
15. K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki, Mater. Sci. Eng., B 89, 406 (2002).
16. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
17. R. Baron, G. A. Shifrin, O. J. Marsh, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 40, 3702 (1969).