Uniformity of AlGaN/GaN HEMTs grown by ammonia-MBE on 2-in. sapphire substrate

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 8, 2005, Pages

  Hsu, E M ^a   Bardwell, J A ^a   Haffouz, S ^a   Tang, H ^a   Storey, C ^a   Chyurlia, P ^b  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^b CARLETON UNIVERSITY   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA; CURRENT DENSITY; LEAKAGE CURRENTS; LITHOGRAPHY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; TRANSCONDUCTANCE;

GATE LEAKAGE CURRENT; SAPPHIRE SUBSTRATES; SHEET RESISTANCES;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 25644443119     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1940808     Document Type: Article

References (23)

1. S. C. Binari, P. B. Klein, and T. E. Kazior, Proc. IEEE, 90, 1048 (2002).
2. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 81, 3073 (2002).
3. A. Koudymov, G. Simin, M. Asif Khan, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 24, 680 (2003).
4. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquière, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, N. X. Nguyen, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett., 22, 62 (2001).
5. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 560 (2001).
6. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo, and T. Hashizume, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 1844 (2003).
7. T. Mizutani, Y. Ohino, M. Akita, S. Kishimoto, and K. Maezawa, Phys. Status Solidi A, 194, 447 (2002).
8. J. K. Gillespie, R. C. Fitch, N. Moser, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, A. M. Dabiran, P. P. Chow, A. Osinsky, M. A. Mastro, D. Tsvetkov, V. Soukhoveev, A. Usikov, V. Dmitriev, B. Luo, S. J. Pearton, and F. Ren, Solid-State Electron., 47, 1859 (2003).
9. J. D. Brown, R. Borges, E. Piner, A. Vescan, S. Sinhal, and R. Themen, Solid-State Electron., 46, 1535 (2002).
10. S. Arulkumaran, M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, and T. Jimbo, IEEE Electron Device Lett., 24, 497 (2003).
11. M. J. Uren, D. Lee, B. T. Hughes, P. J. M. Parmiter, J. C. Birbeck, R. Balmer, T. Martin, R. H. Wallis, and S. K. Jones, J. Cryst. Growth, 230, 579 (2001).
12. R. Lossy, J. Hilsenbeck, J. Würfl, K. Kohler, and H. Obloh, Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1, 942 (2000).
13. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett., 34, 811 (1998).
14. R. Hickman, J. M. Van Hove, P. P. Chow, J. J. Klaassen, A. M. Wowchack, and C. J. Polley, Solid-state Electron., 42, 2183 (1998).
15. J. A. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, J. B. Webb, S. J. Rolfe, and J. Lapointe, Electron. Lett., 39, 564 (2003).
16. S. Haffouz, H. Tang, J. A. Bardwell, E. M. Hsu, J. B. Webb, and S. Rolfe, Solid-State Electron. 49, 802 (2005).
17. J. A. Bardwell, I. Foulds, B. Lamontagne, H. Tang, J. B. Webb, P. Marshai, S. J. Rolfe, J. Stapledon, and T. W. MacElwee, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 750 (2000).
18. J. A. Bardwell, G. I. Sproule, Y. Liu, H. Tang, J. B. Webb, F. Fraser, and P. Marshall, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1444 (2002).
19. J. W. Johnson, J. Han, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, J. R. Wendt, C. Monier, F. Ren, B. Luo, S. N. G. Chu, D. Tsvetkov, V. Dmitriev, and S. J. Pearton, Solid-State Electron., 46, 513 (2002).
20. J.-P. Ao, D. Kikuta, N. Kubota, Y. Naoi, and Y Ohno, IEEE Electron Device Lett., 24, 500 (2003).
21. X. Dang, P. M. Asbeck, E. T. Yu, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 622, T6.28.1 (2000).
22. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Kiode, and K. Manabe, J. Appl. Phys., 77, 4389 (1995).
23. A. T. Ping, M. Asif Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Electron. Lett., 33, 1081 (1997).