Direct comparison of threshold and gain characteristics of 1300 nm GaInNAs lasers with GaNAs and GaAs barriers

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 8, 2005, Pages

  Wei, Y Q ^a   Fu, Y ^a   Wang, X D ^a   Modh, P ^a   Hedekvist, P O ^a   Gu, Q F ^a   Sadeghi, M ^a   Wang, S M ^a   Larsson, A ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONFINEMENT POTENTIAL; MONOMOLECULAR RECOMBINATION; SPECTRAL GAIN CHARACTERISTICS; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

CHEMICAL ANALYSIS; CURRENT DENSITY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 24344466956     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2034093     Document Type: Article

References (19)

1. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakahara, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 719 (1997).
2. A. W. Jackson, R. L. Naone, M. J. Dalberth, J. M. Smith, K. J. Malone, D. W. Kisker, J. F. Klem, K. D. Choquette, D. K. Serkland, and K. M. Geib, Electron. Lett. 37, 355 (1999).
3. W. Li, T. Jouthi, C. S. Peng, J. Konttinen, E. M. Pavelescu, M. Dumitrescu, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 79, 3386 (2001).
4. W. Ha, V. Gambin, M. Wistey, S. Bank, S. Kim, and J. S. Harris, IEEE Photon. Technol. Lett. 14, 591 (2002).
5. A. Caliman, A. Ramdane, D. Meichenin, L. Manin, B. Sermage, G. Ungaro, L. Travers, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 38, 710 (2004).
6. T. Jouhti, C. S. Peng, E. M. Pavelescu, J. Konttinen, L. A. Gomes, O. G. Okhotnikov, and M. Pessa, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 787 (2002).
7. H. Y. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Grtierrez, J. S. Ng, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 83, 4951 (2003).
8. S. G. Sprutte, M. C. Larson, W. Wampler, C. W. Coldren, H. E. Petersen, and J. S. Harris, J. Cryst. Growth 227, 506 (2001).
9. C. S. Peng, E. M. Pavelescu, T. Jouhti, J. Konttinen, I. M. Fodchuk, Y. Kyslovsky, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 80, 4720 (2002).
10. S. Tomic and E. P. O'Reilly, IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 6 (2003).
11. R. Fehse, S. Tomic, A. R. Adams, S. J. Sweeney, E. P. O'Reilly, A. Andreev, and H. Riechert, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 801 (2002).
12. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999).
13. M. Hofmann, A. Wagner, C. Ellmers, C. Schlichenmeier, S. Schäfer, F. Höhnsdorf, J. Koch, W. Stolz, S. W. Koch, W. W. Ruhle, J. Hader, J. V. Moloney, E. P. O'Reilly, B. Bochert, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 78, 3009 (2001).
14. P. J. Klar, H. Gruning, J. Koch, S. Schäfer, K. Volz, W. Stolz, W. Heimbrodt, A. M. Kamal Saadi, A. Lindsay, and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).
15. S. A. Choulis, T. J. C. Hosea, P. J. Klar, M. Hofman, and W. Stolz, Appl. Phys. Lett. 79, 4277 (2001).
16. X. Marie, J. Barrau, T. Amand, H. Carrere, A. Arnoult, C. Fontaine, and E. Bedel-Pereira, IEE Proc.: Optoelectron. 150, 25 (2003).
17. B. W. Hakki and T. L. Paoli, J. Appl. Phys. 46, 1299 (1975).
18. G. Dresselhaus, A. F. Kip, and C. Kittel, Phys. Rev. 98, 368 (1955).
19. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).