Nanoscale properties of SrBi2Ta2O9 thin films

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 655, Issue , 2001, Pages

  Gruverman, A ^a,b   Isobe, C ^a   Tanaka, M ^a  

^a SONY CORPORATION   (Japan)

^b North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 24144439365     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Article

References (27)

1. J. F. Scott and C.A. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. I. P. Batra and B. D. Silverman, Sol. St. Commun. 11, 291 (1972).
3. R. R. Mehta, B. D. Silverman and J. T. Jacobs, J. Appl. Phys. 44, 3379 (1973).
4. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, Integrated Ferroelectrics, 19, 49 (1998).
5. A. Gruverman, H. Tokumoto, S. A. Prakash, S. Aggarwal, B. Yang, M. Wuttig, R. Ramesh, O. Auciello, and V. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 71, 3492 (1997).
6. T. Hidaka, T. Maruyama, I. Sakai, M. Saitoh, L. A. Wills, R. Hiskes, S. A. Dicarolis and J. Amano, Integrated Ferroelectrics 17, 319 (1997).
7. I. K. Yoo, B. M. Kim, and S.J. Park, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol 493, 299 (1998).
8. C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, Q. Su, S. Agearwal, J. Melngailis, E. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 75, 409 (1999).
9. J. W. Hong, W. Jo, D. C. Kim, S. M. Cho, H. J. Nam, H. M. Lee, and J. U. Bu, Appl. Phys. Lett. 75, 3183 (1999).
10. W. Jo, D. C. Kim, and J. W. Hong, Appl. Phys. Lett. 76, 390 (2000).
11. U.S. Hong, E. L. Colla, E. Kim, D. V. Taylor, A. K. Tagantsev, P. Muralt, K. No and N. Setter, J. Appl. Phys. 86, 607 (1999).
12. M. Alexe, C. Harnagea, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 75, 1793 (1999).
13. C. A. Araujo, J. Cuchiaro, L. D. Macmillan, M. C. Scott, J. F. Scott, Nature 374, 627 (1995).
14. K. Amanuma, and T. Kunio, Jap. J. Appl. Phys. 35, Part 1, 5229 (1996).
15. Y. Shimada, K. Nakao, A. Inoue, M. Azuma, Y. Uemoto, E. Fujii, and T. Otsuki, Appl. Phys. Lett. 71, 2538 (1997).
16. M. Grossmann, O. Lohse, D. Bolten, U. Boettger, R. Waser, W. Hartner, M. Kastner, and G. Schindler, Appl. Phys. Lett. 76, 363 (2000).
17. A. Gruverman, Appl. Phys. Lett. 75, 1452 (1999).
18. C. Isobe, T. Ami, K. Hironaka, K. Watanabe, M. Sugiyama, N. Nagel, K. Katori, Y. Ikeda, C. D. Gutleben, H. Yamoto and H. Yagi, Integrated Ferroelectrics, 14, 95 (1997).
19. A. Gruverman, K. Hironaka, Y. Ikeda, K.M. Satyalakshmi, A. Pignolet, M. Alexe, N.D. Zakharov and D. Hesse, Integrated Ferroelectrics 27, 159 (1999).
20. A. Gruverman, and Y. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys. 37, Part 2, L939 (1998).
21. J. M. Benedetto, R. A. Moore, and F. B. McLean, J. Appl. Phys. 75, 460 (1994).
22. J. F. Scott, Integrated Ferroelectrics 9, 1 (1995).
23. J. F. Scott, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 79 (1998).
24. R. C. Miller and G. Weinreich, Phys. Rev. 117, 1460 (1960).
25. J. M. Benedetto, R. A. Moore, and F. B. McLean, J. Appl. Phys. 75, 460 (1994).
26. Z. Xie, E. Z. Luo, J. B. Xu, I. H. Wilson, H. B.Peng, L. H. Zhao, and B. R. Zhao, Appl. Phys. Lett. 76, 1923 (2000).
27. C. Yoshida, A. Yoshida, and H. Tamura, Appl. Phys. Lett. 75, 1449 (1999).