Emission statistics for Si and HfC emitter arrays after residual gas exposure

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 2, 2005, Pages 707-717

  Nicolaescu, D ^a   Nagao, M ^a   Sato, T ^b   Filip, V ^c   Kanemaru, S ^a   Itoh, J ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^c UNIVERSITY OF BUCHAREST   (Romania)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISPERSIONS; FUNCTIONS; SILICON; ULTRAHIGH VACUUM;

FIELD EMISSION ARRAYS (FEA); RESIDUAL GASES;

GASES;

EID: 23944496981     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1864058     Document Type: Conference Paper

References (48)

1. T. Hirano, S. Kanemaru, H. Tanoue, and J. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 637 (1996).
2. J. Itoh and S. Kanemaru, Inf. Disp. 14, 12 (1998).
3. W. A. Mackie, J. L. Morrissey, C. H. Hinrichs, and P. R. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 2852 (1992).
4. W. A. Mackie, R. L. Hartman, and P. R. Davis, Appl. Surf. Sci. 67, 29 (1993).
5. W. A. Mackie, R. L. Hartman, M. A. Anderson, and P. R. Davis, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 722 (1994).
6. M. L. Yu, B. W. Hussey, E. Kratschmer, T. H. P. Chang, and W. A. Mackie, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2436 (1995).
7. W. A. Mackie, T. B. Xie, M. R. Matthews, B. P. Routh, and P. R. Davis, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2057 (1998).
8. W. A. Mackie, T. B. Xia, J. E. Blackwood, S. C. Williams, and P. R. Davis, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1215 (1998).
9. M. R. Rakhshandehroo and S. W. Pang, IEEE Trans. Electron Devices 46, 792 (1999).
10. Y. Wei, B. R. Chalamala, G. Rossi, K. Palmer, B. G. Smith, and R. H. Reuss, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 42 (2001).
11. W. A. Mackie, L. A. Southall, T. B. Xie, G. L. Cabe, F. M. Charbonnier, and P. H. McClelland, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1574 (2003).
12. T. Sato, S. Yamamoto, M. Nagao, T. Matsukawa, S. Kanemaru, and J. Itoh, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1589 (2003).
13. T. Sato, M. Nagao, T. Matsukawa, S. Kanemaru, J. Itoh, and S. Yamamoto, Technical Digest of the 16th International Vacuum Microelectronics Conference, Osaka, Japan, edited by, M. Takai, Y. Gotoh, and, J. Ishikawa, 7-11 July 2003, p. 183.
14. C. A. Spindt, C. E. Holland, A. Rosengreen, and I. Brodie, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2355 (1991).
15. S. Itoh, T. Niiyama, and M. Yokoyama, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 647 (1993).
16. M. Nagao, M. Matsubara, K. Inoue, Y. Gotoh, H. Tsuji, and J. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 5479 (1996).
17. D. Temple, W. D. Palmer, L. N. Yadon, J. E. Mancusi, D. Vellenga, and G. E. McGuire, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1980 (1998).
18. B. R. Chalamala, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3073 (1998).
19. B. R. Chalamala, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2855 (1998).
20. B. R. Chalamala, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2859 (1998).
21. B. R. Chalamala, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2866 (1998).
22. Y. Gotoh, K. Utsumi, M. Nagao, H. Tsuji, J. Ishikawa, T. Nakatani, T. Sakashita, and K. Betsui, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 604 (1999).
23. B. R. Chalamala, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 303 (1999).
24. Y. Wei, B. R. Chalamala, B. G. Smith, and C. W. Penn, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 233 (1999).
25. S. C. Lim, R. E. Stallcup, I. A. Akwani, and J. M. Perez, Appl. Phys. Lett. 75, 1179 (1999).
26. M. J. Gilkes, D. Nicolaescu, and P. R. Wilshaw, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 948 (2000).
27. B. R. Chalamala and R. H. Reuss, Appl. Phys. Lett. 78, 2151 (2001).
28. R. H. Reuss and B. R. Chalamala, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1187 (2003).
29. M. Hajra, C. E. Hunt, M. Ding, O. Auciello, J. Carlisle, and D. M. Gruen, J. Appl. Phys. 94, 4079 (2003).
30. Y. Gotoh, M. Nagao, D. Nozaki, K. Utsumi, K. Inoue, T. Nakatani, T. Sakashita, K. Betsui, H. Tsuji, and J. Ishikawa, J. Appl. Phys. 95, 1537 (2004).
31. D. Nicolaescu, M. Nagao, V. Filip, S. Kanemaru, and J. Itoh, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1550 (2003).
32. D. Nicolaescu, T. Sato, M. Nagao, V. Filip, S. Kanemaru, and J. Itoh, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1227 (2004).
33. R. H. Good, Jr. and E. W. Mueller, Handbuch der Physik, edited by, S. Flugge, (Springer, Berlin, 1956), Vol. 21, p. 176.
34. C. A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, and E. R. Westerberg, J. Appl. Phys. 47, 5248 (1976).
35. K. L. Jensen, in Vacuum Microelectronics, edited by, Wei Zhu, (Wiley, New York, 2001).
36. J. D. Zuber, K. L. Jensen, and T. E. Sullivan, J. Appl. Phys. 91, 9379 (2002).
37. D. Nicolaescu, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 392 (1993).
38. K. L. Jensen, P. Mukhopadhyay-Phillips, E. G. Zaidman, K. Nguyen, M. A. Kodis, L. Malsawma, and C. Hor, Appl. Surf. Sci. 111, 204 (1997).
39. M. Ding, G. N. Sha, A. I. Akinwande, IEEE Trans. Electron Devices 49, 2333 (2002).
40. C. Y. Hong, A. I. Akinwande, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 500 (2003).
41. K. L. Jensen and C. M. Marrese-Reading, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 412 (2003).
42. J. Ishikawa, H. Tsuji, K. Inoue, M. Nagao, T. Sasaki, T. Kaneko, and Y. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L342 (1993).
43. J. Ishikawa, H. Tsuji, Y. Gotoh, T. Sasaki, T. Kaneko, M. Nagao, and K. Inoue, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 403 (1993).
44. Y. Gotoh, M. Nagao, M. Matsubara, K. Inoue, H. Tsuji, and J. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1297 (1996).
45. D. Nicolaescu and V. Avramescu, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 749 (1994).
46. K. Betsui, Technical Digest of the 4th International Vacuum Microelectronics Conference, Nagahama (Business Center for Academic Societies Japan, Osaka, Japan, 1991), p. 26.
47. P. R. Schwoebel and I Brodie, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1391 (1995).
48. T. Sato, M. Saida, K. Horikawa, M. Nagao, S. Kanemaru, T. Matsukawa, J. Itoh, S. Yamamoto, and M. Sasaki, Technical Digest of the International. Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC), Cambridge, MA, edited by, A. I. Akinwande, L.-Y. Chen, I. Kymissis, and, C.-Y. Hong, 11-16 July 2004, Paper P 2.23.