Growth and characterization of bulk GaN by Ga vapor transport

Materials Research Society Symposium Proceedings

Volumn 831, Issue , 2005, Pages 697-702

  Konkapaka, Phanikumar ^a   Wu, Huaqiang ^a   Makarov, Yuri ^b   Spencer, Michael G ^a  

^a Cornell University   (United States)

^b Semiconductor Technology Research   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER GASES; HOMOEPITAXIAL DEVICE LAYERS; OPTICAL CHARACTERIZATION; THERMAL EXPANSION COEFFICIENTS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTALS; LIGHT EMITTING DIODES; SUBLIMATION; THERMAL EXPANSION; VAPORS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 23844513066     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (28)

1. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Marsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
3. S. Nakamura, J. Crystal Growth 170 (1997) 11.
4. M. A. L. Johnson, W. C. Hughes, W. H. Rowland Jr., J.W. Cook Jr., J.F. Schetzina, M. Leonard, H. S. Kong, J. A. Edmond, J. Zawada, J. Crystal Growth 175/176 (1997) 72.
5. T. S. Cheng, S. E. Hooper, L. C. Jenkins, C. T. Foxon, D. E. Lacklison, J. D. Dewship, J. W. Orton, J. Crystal Growth 166 (1996) 597.
6. W. A. Melton, J. I. Pancove, J. Crystal Growth 178 (1997) 168.
7. R. D. Dupuis, J. Crystal Growth 178 (1997) 56
8. S. T. Kim, Y. J. Lee, D. C. Moon, C. H. Hong, T. K. Yoo, J. Crystal Growth 194 (1998) 37.
9. S. Porowski, I. Grzegory, J. Crystal Growth 178 (1997) 174.
10. Yu. A. Vodakov, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, M. E. Boiko, P.G. Baranov, J. Crystal Growth 183 (1998) 10.
11. E. Ejder, J. Crystal Growth 22 (1974) 44.
12. D. Elwell, R. S. Feigelson, M.M. Simkins, W. A. Tiller, J. Crystal Growth 66 (1984) 45.
13. R. B. Zetterstorm, J. Mater. Sci. 5 (1970) 1102.
14. H. Yamane, M. Shimada, T. Sekiguchi, F. J. DiSalvo, J. Crystal Growth 186 (1998) 8.
15. Pei-Yen Lin, YewChung Sermon Wu, Materials Chemistry and Physics 80 (2003) 397-400.
16. N. Sharma, P. Thomas, D. Tricker, C. Hu mphreys, Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1274.
17. S. Mahanty, M. Hao, T. Sugahara, R. S. Q. Fareed, Y. Morishima, Y. Naoi, T. Wang, S. Sakai, Mater. Lett. 41 (1999) 67.
18. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 710.
19. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. Denbaars, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 692.
20. H. K. Cho, J. Y. Lee, G. M. Yang, C. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 215
21. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 2835.
22. Y. S. Lin, K. -J. Ma, C. Hsu, S. -W. Feng, Y. -C. Cheng, C. -C. Liao, C. C. Yang, C. -C. Chou, C. -M. Lee, J. -I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2988.
23. Z. A. Munir, A. L. Searcy, The Journal of Chemical Phys. 41 (1965) 4223.
24. M. V. Averyanova, I. N. Przhevalskii, S. Yu. Karpov, Yu. N. Makarov, M. S. Ramm, R. A. Talalaev. Mat. Sci. and Engg. B43 (1997) 167.
25. N. Newman, J. Ross, and M. Rubin., Appl. Phys. Lett. 62 1993) 11.
26. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, J. C. Culbertson, M. E. Twigg, J. Crystal Growth 223 (2001) 466.
27. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, J. C. Culbertson, M. E. Twigg, R. J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 62 1993) 73
28. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, J. C. Culbertson, M. E. Twigg, R. J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 62 (1998) 2018.