Formation mechanism of V defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN layers with low threading dislocation density

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 2, 2001, Pages 215-217

  Cho, H K ^a   Lee, J Y ^a   Yang, G M ^b   Kim, C S ^b  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035832906     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1384906     Document Type: Article

References (16)

1. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
3. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).
4. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228, (1996).
5. V. Potin, P. Ruterana, and G. Nouet, J. Appl. Phys. 82, 2176 (1997).
6. H. K. Kwon, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, M. M. Wong, R. D. Dupuis, Z. Liliental-Weber, and M. Benamara, Appl. Phys. Lett. 77, 2503 (2000).
7. C. J. Sun, M. Z. Anwar, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, Z. Liliental-Weber, C. Kisielowski, M. Smith, J. Y. Lin, and H. X. Xiang, Appl. Phys. Lett. 70, 2978 (1997).
8. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
9. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
10. I. H. Kim, H. S. Park, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 1634 (1998).
11. N. Sharma, P. Thomas, D. Tricker, and C. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 77, 1274 (2000).
12. Y. S. Lin, K. J. Ma, C. Hsu, S. W. Feng, Y. C. Cheng, C. C. Liao, C. C. Yang, C. C. Chou, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 2988 (2000).
13. H. K. Cho, J. Y. Lee, K. S. Kim, and G. M. Yang, J. Appl. Phys. 89, 2617 (2001).
14. C.-C. Chuo, C.-M. Lee, T.-E. Nee, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 3902 (2000).
15. Y. A. Tran, R. F. Karlicek, Jr., M. Schurman, A. Osinsky, V. Merai, Y. Li, I. Eliashevich, M. G. Brown, J. Nering, I. Ferguson, and R. Stall, J. Cryst, Growth 195, 397 (1998).
16. L. T. Romano, B. S. Krusor, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997).