High etch-resistant silicon containing bilayer resist: - Lithographic performance & outgassing studies

Journal of Photopolymer Science and Technology

Volumn 18, Issue 3, 2005, Pages 365-372

  Hosono, Takayuki ^a   Yamada, Tomotaka ^a   Kawana, Daisuke ^a   Sato, Kazufumi ^a   Hu, Sanlin ^b   Tecklenburg Jr , Ronald E ^b   Wyman, David L ^b   Maghsoodi, Sina ^b   Moyer, Eric S ^b  

^a TOKYO OHKA KOGYO CO LTD   (Japan)

^b DOW CORNING CORPORATION   (United States)

Author keywords

ArF (193 nm) lithography; Bilayer; Etch Resistant; Outgassing; Photoresist; Silsesquioxane

Indexed keywords

EID: 22144494676     PISSN: 09149244     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.2494/photopolymer.18.365     Document Type: Article

References (24)

1. U. Schaedeli, E. Tinguely, A. J. Blakeney, P. Falcigno, and R. R. Kunz, Proc. SPIE, 2724, 344 (1996)
2. J. B. Kim, H. Kim, S. H. Lee, S. H. Lee, S. J. Choi, and J. T. Moon, Proc. SPIE, 3678, 420 (1999)
3. R. Sooriyakumaran, G. M. Wallaff, C. E. Larson, D. F. Alexander, R. A. DiPietro, J. Opitz, D. C. Hofer, D. C. LaTulipe Jr., J. P. Simons, K. E. Petrillo, K. Babich, M. Angelopoulos, Q. Lin, and A. Katnani, Proc. SPIE, 3333, 219 (1998)
4. P. Foster, T. Steinhausler, J. J. Biafore, G. Spaziano, S. G. Slater, and A. J. Blakeney, Proc. SPIE, 3678, 1034 (1999)
5. L. D. Boardman, C. R. Kessel, and S. J. Rhyner, Proc. SPIE, 3678, 562 (1999)
6. R. Sooriyakumaran, D. Fenzel-Alexander, P. J. Brock, C. E. Larson, R. A. DiPietro, G. M. Wallraff, D. C. Hoffer, and D. J. Dawson, Proc. SPIE, 3999, 1171 (2000)
7. R. Kwong, P. R. Varanasi, M. Lawson, T. Hughes, G. Jordhamo, M. Khojasteh, A. Mahorowala, R. Sooriyakumaran, P. Brock, C. Larson, D. Fenzel-Alexander, H. Truong, R. Allen, Proc. SPIE, 4345, 50 (2001)
8. T. S. Jean, T. T. Song, W. T. Jiaang, J. F. Chang, H. B. Cheng, C. S. Chuang, and T. Y. Lin, J. of Photopolymer Sci. and Technol. 14, (3), 503 (2001)
9. S. Hien, G. Czech, W-D. Domke, H. Raske, M. Sebald, I. Stiebert, Proc. SPIE, 3333, 154 (1998)
10. T. Morisawa, N. Matsuzawa, S. Mori, Y. Kaimoto, M. Endo, T. Ohfuji, K. Kuhara, and M. Sasago, J. Photopolymer Sci. and Technol., 10 (4), 589 (1997).
11. J. Hatakeyama, M. Nakashima, I. Kaneko, S. Nagura, and T. Ishihara, Proc. SPIE, 3333, 62 (1998)
12. R. Sooriyakumaran, D. Fenzel-Alexander, N. Fender, G. M. Wallraff, and R. D. Allen, Proc. SPIE, 4345, 319 (2001)
13. R. J. Hung, M. Yamachika, T. Chiba, H. Iwasawa, A. Hayashi, N. Yamahara, and T. Shimokawa, J. Photopolymer Sci. and Technol., 15, (4), 693 (2002)
14. Y. Kawai, J. Hatakeyama, T. Takahashi and T. Ishihara, Int. Sematech 157 nm Technical Data Review CD, A1-RST11, Nov. 15, (2000)
15. G. Barclay, S. Kanagasabapathy, G. Pohlers, J. Mattia, K. Xiong, S. Ablaza, J. Cameron, A. Zampini, T. Zhang, S. Yamada, F. Huby and K. Wiley, Proc. SPIE, 5039, 453 (2003)
16. E. Tegou, V. Bellas, E. Gogolides, P. Argitis, K. Dean, D. Eon, G. Cartry, and C. Cardinaud, Proc. SPIE, 5039, 453 (2003)
17. H. Kim, J. Hong, M. Jung, S. Woo, H. Cho and W. Han, J. Photopolymer Sci. and Technol., 16, (4), 499 (2003)
18. R. J. Hung, T. Chiba, H. Iwasawa, A. Hayashi, N. Yamahara and T. Shimokawa, J. Photopolymer Sci. and Technol. 16, (4), 591 (2003)
19. S. Yamada, S. Cho, J. H. Lee, T. Zhang, and A. Zampini, J. Photopolymer Sci. and Technol. 17, (4), 511 (2004)
20. J. Hatakeyama, T. Takeda, M. Nakashima, T. Kinsho, Y. Kawai, and T. Ishihara, J. Photopolymer Sci. and Technol., 17, (4), 519 (2004)
21. Kunz et. al., J. Vac. Sci. and Technol., B 18(3), 1306 (2000)
22. Kunz et al., J. Vac. Sci. Technol., B 17(6), 3330-3334, (1999)
23. Irie et. al., J. Photopolymer Sci. and Technol., 14, (4), 561 (2001)
24. Hien et. al., Proc. SPIE, 4345, 439 (2001)