Role of interface traps on breakdown process of a magnetic tunnel junction

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 14, 2005, Pages 1-3

  Kim, Kwang Seok ^a   Cho, B K ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACCELERATION; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC POTENTIAL; INTERFACES (MATERIALS); MAGNETORESISTANCE; MAGNETRON SPUTTERING; ULTRAHIGH VACUUM;

ELECTRIC BREAKDOWN PROCESS; INTERFACE TRAPS; MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJ); TRAP DENSITY;

TUNNEL JUNCTIONS;

EID: 17444428061     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1897846     Document Type: Article

References (26)

1. J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong, and R. Meservey, Phys. Rev. Lett. 74, 3273 (1995).
2. T. Miyazaki and N. Tezuka, J. Magn. Magn. Mater. 139, L231 (1995).
3. W. Oepts, H. J. Verhagen, R. Coehoorn, and W. J. M. de Jonge, J. Appl. Phys. 86, 3863 (1999).
4. J. Schmalhorst, H. Bruckl, M. Justus, A. Thomas, G. Reiss, M. Veith, G. Gieres, and J. Wecker, J. Appl. Phys. 89, 586 (2001).
5. J. Das, R. Degraeve, P. Roussel, G. Groeseneken, G. Borghs, and J. De Boeck, J. Appl. Phys. 91, 7712 (2002).
6. B. Oliver, Q. He, X. Tang, and J. Nowak, J. Appl. Phys. 91, 4348 (2002).
7. K. S. Kim, B. K. Cho, T. W. Kim, and W. J. Park, J. Appl. Phys. 93, 8364 (2003).
8. D. J. DiMaria and J. H. Stathis, Appl. Phys. Lett. 71, 3230 (1997).
9. B. E. Weir, P. J. Silverman, M. A. Alam, F. Baumann, D. Monroe, A. Ghetti, J. D. Bude, G. L. Timp, A. Hamad, T. M. Oberdick, N. X. Zhao, Y. Ma, M. M. Brown, D. Hwang, T. W. Sorsch, and J. Madic, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1999, 437.
10. J. H. Stathis, A. Vayshenker, P. R. Varekamp, E. Y. Yu, C. Montrose, J. McKenna, D J. DiMaria, L. K. Han, E. Cartier, R. A. Wachnik, and B P. Linder, Tech. Dig. VLSI Symp. 2000, 94.
11. P. E. Nicollian, W. R. Hunter, and J. Hu, Proc. IRPS Symp. 2000, 7.
12. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
13. J. H. Stathis and D. J. DiMaria, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1998, 167.
14. T. Nigam, R. Degraeve, G. Groeseneken, M. M. Heyns, and H. E. Maes, Proc. IRPS Symp. 1999, 381.
15. R. Degraeve, N. Pangon, B. Kaczer, T. Nigam, G. Groeseneken, and A. Naem, Tech. Dig. VLSI Symp., 1999, 59.
16. M. Durlam, P. J. Naji, A. Omair, M. Deherrera, J. Calder, J. M. Slaughter, B. N. Engel, N. D. Rizzo, G. Grynkewich, B. Butcher, C. Tracy, K. Smith, K. W. Kyler, J. J. Ren, J. A. Molla, W. A. Feil, R. G. Williams, and S. Tehrani, IEEE J. Solid-State Circuits 38, 769 (2003).
17. A. R. Sitaram, D. W. Abraham, C. Alof, D. Braun, S. Brown, G. Costrini, F. Findei, M. Gaidis, E. Galligan, W. Glashauser, A. Gupta, H. Hoenigschmid, J. Hummel, S. Kanakasabapathy, I. Kasko, W. Kim, U. Klostermann, G. Y. Lee, R. Leuschner, K. S. Low, Yu Lu, J. Nutzel, E. O. Sullivan, C. Park, W. Raberg, R. Robertazzi, C. Sarma, J. Schmid, P. L. Trouilloud, D. Worledge, G. Wright, W. J. Gallagher, and G. Muller, Tech. Dig. VLSI Symp. 2003, 15.
18. P. E. Nicollian, M. Rodder, D. T. Grider, P. Chen, R. M. Wallace, and S. V. Hattangady, Proceedings IRPS Symp. 1999, 400.
19. D. J. DiMaria and E. Cartier, J. Appl. Phys. 78, 3883 (1995).
20. M. Depas, B. Vermeire, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys. 80, 382 (1996).
21. P. P. Apte and K. C. Saraswat, IEEE Electron Device Lett. 14, 512 (1993).
22. J. S. Bae, K. H. Shin, T. D. Lee, and H. M. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 1168 (2002).
23. R. Degraeve, G. Groeseneken, R. Bellens, J. L. Ogier, M. Depas, P. J. Roussel, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 45, 904 (1998).
24. J. H. Stathis, J. Appl. Phys. 86, 5757 (1999).
25. J. H. Stathis, Proc. IRPS Symp. 2001, 132.
26. J. Das, R. Degraeve, G. Groeseneken, S. Stein, H. Kohlstedt, G. Borghs, and J. De Boeck, J. Appl. Phys. 94, 2749 (2003).