Breakdown and defect generation in ultrathin gate oxide

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 1, 1996, Pages 382-387

  Depas, M ^a   Vermeire, B ^a   Heyns, M M ^a  

^a IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000655656     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362794     Document Type: Article

References (33)

1. Y. Taur, S. Cohen, S. Wind, T. Lu, C. Hsu, D. Quinlen, C. A. Chang, D. Buchanan, P. Agnello, Y. Mu, C. Reeves, A. Acovic, and V. Kesan, IEEE Trans. Electron Device Lett. EDL-14, 304 (1993).
2. H. Iwai, H. S. Momose, M. Saito, M. Ono, and Y. Katsumata, Microelectron. Eng. 28, 147 (1995).
3. S. Kar and W. E. Dahlke, Solid-State Electron. 15, 221 (1972).
4. J. Maserjian, J. Vac. Sci. Technol. 11, 996 (1974).
5. M. A. Green and J. Shewchun, Solid-State Electron. 17, 349 (1974).
6. D. J. DiMaria and J. W. Stasiak, J. Appl. Phys. 65, 2342 (1989).
7. I. C. Chen, S. Holland, K. K. Young, C. Chang, and C. Hu, Appl. Phys. Lett. 49, 669 (1986).
8. J. C. Lee, I. C. Chen, and C. Hu, IEEE Trans. Electron. Devices ED-35, 2268 (1988).
9. K. R. Farmer, M. O. Andersson, and O. Engström, Appl. Phys. Lett. 58, 2666 (1991).
10. D. A. Buchanan, D. J. DiMaria, C. A. Chang, and Y. Taur, Appl. Phys. Lett. 65, 1820 (1994).
11. P. Lundgren, M. O. Anderson, K. R. Farmer, and O. Engström, Microelectron. Eng. 28, 67 (1995).
12. M. Depas, B. Vermeire, P. W. Mertens, M. Meuris, and M. M. Heyns, Semicond. Sci. Technol. 10, 753 (1995).
13. M. Depas, B. Vermeire, P. W. Mertens, M. Schaekers, M. Meuris, and M. M. Heyns, Second International Symposium on Ultra-clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS), Brugge, Belgium, Sept. 21-23, 1994 (Acco, Leuven, 1994), pp. 419-423.
14. M. Hirose, M. Hiroshima, T. Yasaka, M. Takahura, and S. Miyazaki, Microelectron. Eng. 22, 3 (1993).
15. M. Depas, B. Vermeire, P. W. Mertens, R. L. Van Meirhaeghe, and M. M. Heyns, Solid-State Electron. 38, 1465 (1995).
16. T. Yoshida, D. Imafuku, J. L. Alay, S. Miyazaki, and M. Hirose, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 903 (1995).
17. Y. Hokari, IEEE Trans. Electron. Devices ED-35, 1299 (1988).
18. I. C. Chen, S. E. Holland, and C. Hu, IEEE Trans. Electron. Device Lett. EDL-37, 146 (1986).
19. K. F. Schuegraf and C. Hu, IEEE Trans. Electron. Devices ED-41, 761 (1994).
20. S. Ogawa, M. Shimaya, and N. Shiono, J. Appl. Phys. 77, 1137 (1995).
21. M. A. Green, F. D. King, and J. Shewchun, Solid-State Electron. 17, 551 (1974).
22. E. Harari, J. Appl. Phys. 49, 2478 (1978).
23. D. J. DiMaria, E. Cartier, and D. Arnold, J. Appl. Phys. 73, 3367 (1993).
24. N. K. Patel and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 64, 1809 (1994).
25. 2 Interface 2, edited by C. R. Helms and B. E. Deal (Plenum, New York, 1993), pp. 411-420.
26. D. J. Dumin, J. R. Maddux, R. S. Scott, and R. Subramoniam, IEEE Trans. Electron. Devices ED-41, 570 (1994).
27. R. Degraeve, G. Groeseneken, R. Bellens, M. Depas, and H. E. Maes, Technical Digest IEDM/1995 (IEEE, Piscataway, NJ, 1995), p. 863.
28. K. G. Druijf, J. M. M. de Nijs, E. van der Drift, E. H. A. Granneman, and P. Balk, Microelectron. Eng. 22, 231 (1993).
29. S. S. Gong, M. E. Burnham, N. D. Theodore, and D. K. Schroder, IEEE Trans. Electron. Devices ED-40, 1252 (1993).
30. A. J. Lelis, H. E. Boesch, T. R. Oldham, and F. B. McLean, IEEE Trans. Nucl. Sci. 35, 1186 (1988).
31. T. R. Oldham, F. B. McLean, H. E. Boesch, and J. M. McGarrity, Semicond. Sci. Technol. 4, 986 (1989).
32. J. F. Conley, P. M. Lenahan, A. J. Lelis, and T. R. Oldham, Appl. Phys. Lett. 67, 2179 (1995).
33. S. Holland and C. Hu, J. Electrochem. Soc. 133, 1705 (1986).