Growth of high quality GaN epilayers with Si xN y inserting layer on Si(111) substrates

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue SUPPL., 2004, Pages

  Lee, Kang Jea ^a   Shin, Eun Ho ^a   Kim, Ja Youn ^a   Oh, Tae Su ^a   Lim, Kee Young ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

AlN; GaN; MOCVD; Si xN y

Indexed keywords

EID: 12744265199     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1867 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and M. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L226 (1999).
3. T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 80, 3497 (2002).
4. R. E. Davis, T. Gehrkea, K. J. Linthicuma, E. Preblea, P. Rajagopala, C. Ronning, C. Zorman and M. Methregany, J. Cryst. Growth 231, 335 (2001).
5. Y. Hiroyama and M. Tamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L630 (1998).
6. H. Zhang, Z. Ye and B. Zhao, J. Appl. Phys. 87, 2830 (2000).
7. C. I. Park, J. H. Kang, K. C. Kim, E.-K. Suh, K. Y. Lim and K. S. Nahm, J. Korean Phys. Soc. 37, 1007 (2000).
8. M. K. Kwon, Y. H. Jeong, E. H. Shin, J. W. Yang, K. Y. Lim, J. I. Roh and K. S. Nahm, J. Korean Phys. Soc. 41, 880 (2002).
9. M. K. Kwon, Y. H. Jeong, E. H. Shin, K. Y. Lim, S. H. Lee and K. S. Nahm, J. Korean Phys. Soc. 42, 625 (2003).
10. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. A. Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
11. A. Strittmatter, A. Krost, M. Stra burg, V. Turck, D. Bimberg, J. Biasing and J. Christen, Appl. Phys. Lett. 74, 1242 (1999).
12. Y. Nakada, I. Aksenov and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 73, 827 (1998).
13. A. Dadgar, J. Biasing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1183 (2000).
14. A. Dadgar, A. Strittmatter, J. Biasing, M. Poschenrieder, O. Contreras, P. Veit, T. Riemann, F. Bertram, A. Reiher, A. Krtschil, A. Diez, T. Hempel, T. Finger, A. Kasic, M. Schubert, D. Bimberg, F. A. Ponce, J. Christen and A. Krost, Phys. Stat. Sol. (c) 0(6), 1583 (2003).
15. T. Egawa, T. Moku, H. Ishikawa, K. Ohtsuka and T. Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L663 (2002).
16. H. Lahreche, G. Nataf, E. Feltin, B. Beaumont and P. Gibart, J. Cryst. Growth 231, 329 (2001).
17. M. K. Sunkara, S. Sharma and R. Miranda, Appl. Phys. Lett. 79, 1546 (2001).
18. Seong-Eun Park, Sung-Mook Lim, Cheul-Ro Lee, Chang Soo Kim and Byungsung O, J. Cryst. Growth 249, 487 (2003).
19. A. Dadgar, M. Poschenrieder, A. Reiher, J. Biasing, J. Christen, A. Krtschil, T. Finger, T. Hempel and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 82, 28 (2003).