GaN heteroepitaxial growth on silicon nitride buffer layers formed on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 6, 1998, Pages 827-829

  Nakada, Yoshinobu ^a   Aksenov, Igor ^a   Okumura, Hajime ^b  

^a JT RES CENTER FOR ATOM TECHNOLOGY   (Japan)

^b ELECTROTECHNICAL LABORATORY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001411539     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122014     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 30, L1708 (1992).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwase, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molner, T. D. Moustakas, R. J. Graham, and J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 58, 944 (1991).
4. T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, J. Appl. Phys. 71, 4933 (1992).
5. K. S. Stevens, A. Ohtani, A. F. Schwartman, and R. Beresford, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1186 (1994).
6. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993).
7. A. Ohtani, K. S. Stevens, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 65, 61 (1994).
8. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, T. C. Wang, I. Ferguson, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 66, 2958 (1995).
9. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
10. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J. W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, I. K. Shmagin, Y. C. Chang, J. F. Muth, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 72, 551 (1998).
11. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1991).
12. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1994).
13. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, P. D. Dapkus, S.-J. Choi, A. E. Bond, X. Zhang, and D. H. Rich, Appl. Phys. Lett. 71, 3569 (1997).
14. J. Cao, D. Pavlidis, A. Eisenbach, A. Philippe, C. Bru-Chevallier, and G. Guillot, Appl. Phys. Lett. 71, 3880 (1997).
15. L. Wang, X. Liu, Y. Zan, J. Wang, D. Wang, D.-C. Lu, and Z. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 109 (1998).
16. A. J. Steckl, J. Devrajan, C. Tran, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2264 (1996).
17. M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, and R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23 (1998).
18. D. Bolmont, J. L. Bischoff, F. Lutz, and L. Kubler, Surf. Sci. 269/270, 924 (1992).
19. A. A. Saranin, O. L. Tarasova, V. G. Kotljar, E. A. Khramtsova, and V. G. Lifshits, Surf. Sci. 331-333, 458 (1995).
20. H. G. Grimmeiss and B. Monemar, J. Appl. Phys. 41, 4054 (1970).
21. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, P. J. Dean, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 3, 497 (1971).
22. M. Ilegems, R. Dingle, and R. A. Logan, J. Appl. Phys. 43, 3797 (1972).
23. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. 44, 4234 (1973).
24. O. Lagerstedt and B. Monemar, J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974).