Comparison of Interface State Density Characterization Methods for SiO 2/4H-SiC MOS Diodes

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 7, Issue 2, 2004, Pages

  LaRoche, J R ^a   Kim, J ^a   Johnson, J W ^b   Luo, B ^a   Kang, B S ^a   Mehandru, R ^a   Irokawa, Y ^c   Pearton, S J ^a   Chung, G ^d   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b Nitronex Corporation   (United States)

^c Rd Management Section   (Japan)

^d Sterling Semiconductor   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CURVE FITTING; CYCLIC VOLTAMMETRY; ENERGY GAP; INTERFACES (MATERIALS); LIGHTING; NATURAL FREQUENCIES; SEMICONDUCTOR DIODES; SILICA; SILICON CARBIDE; THERMAL CONDUCTIVITY;

INTERFACE STATE DENSITY; SURFACE STATE DENSITITES;

MOS DEVICES;

EID: 12144286114     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1632872     Document Type: Article

References (31)

1. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, J. W. Kretchmer, R. A. Beaupre, J. L. Garrett, J. B. Tucker, B. J. Edward, J. Foppes, and A. F. Allen, Solid-State Electron., 47, 821 (2003).
2. J. B. Casady and R. W. Johnson, Solid-State Electron., 39, 1409 (1996).
3. C. T. Harris and A. O. Konstantinov, Phys. Scr., T79, 27 (1999).
4. M. Ruff, H. Mitlehner, and R. Helbig, IEEE Trans. Electron Devices, 41, 1040 (1994).
5. J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, R. Singh, A. Agarwal, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 658 (2002).
6. J. A. Cooper, Jr., Phys. Status Solidi A. 162, 305 (1997).
7. J. B. Casady, A. K. Agarwal, S. Seshadri, R. R. Siergiej, L. B. Rowland, M. F. MacMillan, D. C. Sheridan, P. A. Sanger, and C. D. Brandi, Solid-State Electron., 42, 2165 (1998).
8. M. C. Tarplee, V. P. Madangarli, Q. Zhang, and T. S. Sudarshan, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 665 (2002).
9. M. Trivedi and K. Shenai, J. Appl. Phys., 85, 6889 (1999).
10. D. Peters, R. Schoener, K. H. Holzein, and P. Friedrichs, Appl. Phys. Lett., 71, 2996 (1997).
11. R. Singh, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, T. P. Chow, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 6650 (2002),
12. D. Alok and B. J. Baliga, IEEE Electron Device Lett., 44, 1013 (1997).
13. A. P. Knights, M. A. Lourenço, K. P. Homewood, D. J. Morrison, N. G. Wright, S. Ortolland, C. M. Johnson. A. G. O'Neiil, P. G. Coleman, K. P. Hilton, and M. J. Uren, J. Appl. Phys., 87, 3973 (2002).
14. V. Saxena, J. N. Su, and A. J. Steckl, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 456 (1999).
15. P. Alexandrov, J. H. Zhao, W. Wright, M. Pan, and M. Weaver, Electron. Lett., 57, 1261 (2001).
16. J. B. Casady, in Processing of Wide Bandgap Semiconductor, William Andrew. Norwich, NY (2000).
17. D. T. Morisette, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, G. A. Dolny, P. M. Shenoy, M. Zafrani, and J. Gladish, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 349 (2001).
18. P. Tobias, A. Baranzahi, A. L. Spetz, O. Kordina, E. Janzen, and I. Lundstrom, IEEE Electron Device Lett., 18, 287 (1997).
19. G. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, R. K. Chanana, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett., 77, 3601 (2000).
20. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. H. Won, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett., 76, 1713 (2000).
21. G. Y. Chung, J. R. Williams, T. Isaacs-Smith, F. Ren, K. McDonald, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 81, 4266 (2002).
22. H. Li, S. Dimitrijiev, H. B. Harrison, and D. Sweatman, Appl. Phys. Lett., 70, 2028 (1997).
23. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Willimas, K. McDonald, M. Di Ventra, R. K. Chanana, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett., 77, 3601 (2000).
24. S. Dmitrijev, H. F. Li, H. B. Harrison, and D. Sweatman, IEEE Electron Device Lett., 18, 175 (1997).
25. P. Tanner, S. Dimitrijev, H. F. Li, D. Sweatman, K. E. Prince, and H. B. Harrison, J. Electron. Mater., 28, 109 (1999).
26. K. McDonald, M. B. Huang, R. A. Weller, L. C. Feldman, J. R. Williams, F. C. Stedile, I. J. R. Baumvol, and C. Radtke, Appl. Phys. Lett., 76, 568 (2000).
27. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. Wiley-Interscience, New York (1982).
28. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley-Interscience, New York (1981).
29. E. J. Miller, Appl. Phys. Lett., 87, 8070 (2000).
30. T. Ouisse, N. Becourt, C. Jaussaud, and F. Templier, J. Appl. Phys., 75, 604 (1994).
31. H. Feng Li, IEEE Electron Device Lett., 19, 279 (1998).