HVPE-grown AlGaN/GaN HEMTs

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 764, Issue , 2003, Pages 45-55

  Luo, B ^a   Ren, F ^a   Mastro, M A ^b   Tsvetkov, D ^b   Pechnikov, A ^b   Soukhoveev, V ^b   Dmitriev, V ^b   Baik, K H ^a   Pearton, S J ^a  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^b TDI Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; CAPACITANCE; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC POTENTIAL; GALLIUM NITRIDE; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; OHMIC CONTACTS;

OHMIC METALLIZATION;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0344065672     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-764-c2.3     Document Type: Conference Paper

References (28)

1. H. P. Maruska and J. J. Tietzer, Appl. Phys. Lett. 15, 367(1969).
2. R. J. Molnar, in "GaN-II", ed. J. I. Peenkove and T. D. Movstakas, (Academic Press, NY 1999).
3. R. P. Vaudo and V. M. Phanse, Electrochem. Sco. Proc. 19-18, 79(1998).
4. D. Doppalapudi and T. D. Movstakus, in Handbook of Thin Films ed. H. S. Nalwa, Vol. 4 (Academic Press, NY 2002).
5. R. Molnar, W. Goetz, L. T. Rornano and N. M. Johnson, J. Cryst. Growth. 178, 147(1996).
6. T. Detchprohm, K. Hiramatsv, H. Amono and I. Alcasaki, Appl. Phys. Lett. 61, 2688(1992).
7. P. Gibart and B. Beaumant, in GaN-based Technologies, ed. M. Osinski (SPIE Optical Engineering Series, Washington, 2002).
8. H. Morhoc, Mat. Sci. Eng. R33, 135(2001).
9. M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Gorgens, O. Ambacher and M. Stutzmana, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L217(1999).
10. S. S. Park, I.-W. Park and S. H. Chok, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1141(2000).
11. K. Lee and K. Auh, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L13(2001).
12. S. T. Kim, Y. J. Lee, D. C. Moon, C. Hong and T. K. Soo, Semicond. Sci. Technol. 14, 278(1999).
13. Y. V. Melaik, K. V. Vassilevski, I. P. Nikitina, A. I. Babanin, Y. Davydov and A. V. Dmitriev, MRS Technol J. Nitride Semicond. Res. 2, 39(1997).
14. A. Wakahara, T. Yamamoko, K. Ishio, A. Yoshida, Y. Seki, K. Kainosho and O. Oda, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 2399(2000).
15. O. Kryliovk, M. Reed, T. Dann and T. J. Anderson, Mat. Sci. Eng. B66, 26(1999).
16. K. Motoki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L140(2001).
17. S. Nagahamn, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kikoyv, T. Kozaki, M. Suno, H. Matsumura, H. Vinemoko, K. Kocho and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647(2000).
18. J. C. Zolper, Tech Digest IEDM 389, 16.1.1 (1999).
19. see for example, the papers in the special issue on GaN Electronics, IEEE Trans Electron. Dev. ED48, (2001), ed J. C. Zolper and V. K. Mishra.
20. R. T. Kemeley, H. B. Wallace and M. N. Yoder, Proc. IEEE 90, 1059(2002).
21. V. K. Mishra, P. Parikh and Y.-F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022(2002).
22. R. J. Trew, Proc. IEEE 90, 1032(2002).
23. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang and K. P. Lee, Mat. Sci. Eng. R.30, 55(2000).
24. J. W. Johnson, F. Ren, S. J. Pearton, A. G. Baca, J. Han, A. M. Dabiran and P. P. Chow, J. Nanosci. Nanotech. 2, 325(2002).
25. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron. Dev. 48, 465(2001).
26. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, G. Monier and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661(2002).
27. J. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. Via, A. Crespo, T. Jenkins, B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, IEEE Trans. Electron. Dev. 23, 505(2002).
28. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy S. J. Pearton, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo and Y. Irokawa, J. Electrochem. Soc., 149, G613 (2002).