Radiative carrier recombination dependent on temperature and well width of InGaN/GaN single quantum well

Solid State Communications

Volumn 129, Issue 1, 2004, Pages 31-35

  Sasaki, A ^a   Nishizuka, K ^a   Wang, T ^b   Sakai, S ^c   Kaneta, A ^d   Kawakami, Y ^d   Fujita, Sg ^d  

^a OSAKA ELECTRO COMMUNICATION UNIVERSITY   (Japan)

^b Nitride Semiconductors Co Ltd   (Japan)

^c UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

^d KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

A. Quantum wells; D. Optical properties, excitons; E. Luminescence

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; EXCITONS; GALLIUM NITRIDE; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; THERMAL EFFECTS;

CARRIER RECOMBINATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0242658621     PISSN: 00381098     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.ssc.2003.09.018     Document Type: Article

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