Time-resolved spectroscopy of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells at room temperature

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 6, 1998, Pages 815-817

  Pophristic, M ^a   Long, F H ^a   Tran, C ^b   Karlicek Jr , R F ^b   Feng, Z C ^b   Ferguson, I T ^b  

^a RUTGERS UNIVERSITY   (United States)

^b EMCORE CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000427373     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122043     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Hagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 3034 (1996).
2. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamato, H. Fujimoto, Y. Kokomot, Kokobun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 11315 (1996).
3. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105 (1996).
4. G. F. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell, and J. F. Schetzina, Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
5. M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodov, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren, and S. DenBaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997).
6. I-hsiu Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
7. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
8. S. Nakamura, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 5 (1997).
9. E. S. Jeon, V. Kozlov, Y. K. Song, A. Vertikov, M. Kuball, A. V. Nurmikko, H. Liu, C. Chen, R. S. Kern, C. P. Kuo, and M. G. Craford, Appl. Phys. Lett. 69, 4194 (1996).
10. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
11. J. S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Härle, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 70, 631 (1997).
12. J. Allegre, P. Lefebvre, S. Juillaguet, W. Knap, J. Camassel, Q. Chen, and M. A. Khan, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 34 (1997).
13. C. K. Sun, F. Vallee, S. Keller, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 71, 425 (1997).
14. M. S. Minsky, S. B. Fleischer, A. C. Abare, J. E. Bowers, E. L. Hu, S. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 72, 1066 (1998).
15. C. I. Harris, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 840 (1995).
16. W. Shan, B. D. Little, J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996).
17. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996).
18. C. K. Sun, F. Vallee, S. Keller, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 70, 2004 (1997).
19. C. A. Tran, R. F. Karlicek, Jr., M. Schurman, T. Salagai, A. Thompson, and R. Stall, presented at the LEOS Summer Topical Meeting on Gallium Nitride Materials, Montreal, Canada, 1997.
20. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
21. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 71, 635 (1997).
22. M. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
23. O. Brandt, H. Yang, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 54, 5215 (1996).
24. R. Klann, O. Brandt, H. Yang, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 70, 1076 (1997).