An analysis of temperature dependent photoluminescence line shapes in InGaN

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 12, 1998, Pages 1697-1699

  Teo, K L ^a,b   Colton, J S ^a,b   Yu, P Y ^a,b   Weber, E R ^a,b   Li, M F ^c   Liu, W ^c   Uchida, K ^d   Tokunaga, H ^e   Akutsu, N ^e   Matsumoto, K ^e  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^d UNIVERSITY OF ELECTRO COMMUNICATIONS   (Japan)

^e TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001682355     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122249     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995);
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, 34, L1332 (1995);
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, 35, L74 (1996);
4. L. J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D. Z. Garbuzov, L. De-Marco, J. C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, and R. F. Nabiev, Appl. Phys. Lett. 69, 1532 (1996);
5. E. Greger, K. H. Gulden, P. Riel, H. P. Schweizer, M. Moser, G. Schmiedel, P. Kiesel, and G. H. Dohler, 68, 2383 (1996).
6. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
7. W. Shan, B. D. Little, J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996);
8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, 70, 2822 (1997).
9. P. Perlin, V. Iota, B. A. Weinstein, P. Wisniewski, T. Suski, P. G. Eliseev, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 70, 2993 (1997).
10. W. Liu, K. L. Teo, M. F. Li, S. J. Chua, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, and K. Matsumoto J. Cryst. Growth (to be published).
11. K. Uchida, P. Y. Yu, N. Noto, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 64, 2859 (1994).
12. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
13. A. Gomyo, T. Suzuki, and S. Ijima, Phys. Rev. Lett. 60, 2645 (1988).
14. E. D. Jones, D. M. Follstaedt, H. Lee, J. S. Nelson, R. P. Schneider, Jr, R. G. Alonso, G. S. Horner, J. Machol, and A. Mascarenhas, in Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995), Vol. 1, p. 293.
15. K. Uchida, P. Y. Yu, J. Zeman, S. H. Kwok, K. L. Teo, Z. P. Su, G. Martinez, T. Arai, and K. Matsumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 499 (1997).
16. M. C. Delong, P. C. Taylor, and J. M. Olson, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 948 (1990);
17. F. A. J. M. Driessen, G. J. Bauhuis, S. M. Olsthoorn, and L. J. Giling, Phys. Rev. B 48, 7889 (1993);
18. P. Ernest, C. Ceng, F. Scholz, and H. Schweizer, Phys. Status Solidi B 193, 213 (1996).
19. J. D. Lambkin, L. Considine, S. Walsh, G. M. O'Connor, C. J. McDonagh, and T. J. Glynn, Appl. Phys. Lett. 65, 73 (1994).
20. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996).
21. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, B. Monemar, W. X. Ni, and G. V. Hansson, Appl. Phys. Lett. 71, 3676 (1997).