Schottky barriers and coulomb blockade in self-assembled carbon nanotube FETs

Nano Letters

Volumn 3, Issue 8, 2003, Pages 1115-1118

  Marty, L ^a   Bouchiat, V ^a   Naud, C ^a   Chaumont, M ^a   Fournier, T ^a   Bonnot, A M ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON;

ARTICLE; CONDUCTANCE; ELECTRIC FIELD; ELECTRODE; ELECTRON TRANSPORT; EXTRACTION; HYSTERESIS; LOW TEMPERATURE; NANOPARTICLE; SEMICONDUCTOR; SYNTHESIS; VAPOR;

EID: 0142106859     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl0342848     Document Type: Article

References (43)

1. Carbon Nanotabes; Dresselhaus, M. S., Dresselhaus G., Avouris, Ph., Eds.: Springer: Berlin. 2001; Vol. 80.
2. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hegel, T.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447-2449.
3. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hegel, T.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447-2449.
4. Bachtold, A.; Hadley, P.; Nakanishi, T.; Dekker, C. Science 2001, 294, 1317 Javey, A.; Wang, Q.; Ural, A.; Li, Y.; Dai, H. Nano Lett. 2002, 2, 929-932. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2001, 1, 453-456.
5. Bachtold, A.; Hadley, P.; Nakanishi, T.; Dekker, C. Science 2001, 294, 1317 Javey, A.; Wang, Q.; Ural, A.; Li, Y.; Dai, H. Nano Lett. 2002, 2, 929-932. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2001, 1, 453-456.
6. Bachtold, A.; Hadley, P.; Nakanishi, T.; Dekker, C. Science 2001, 294, 1317 Javey, A.; Wang, Q.; Ural, A.; Li, Y.; Dai, H. Nano Lett. 2002, 2, 929-932. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2001, 1, 453-456.
7. Javey, A.; Kim, H.; Brink, M.; Wang, Q.; Ural, A.; Guo, J.; McIntyre, P. ; McEuen, P.; Lundstrom, M.; Dai, H. Nat. Mater. 2002, 1, 241.
8. Heinze, S.; Tersoff, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 106801.
9. Appenzeller, J.; Knoch, J.; Derycke, V.; Martel, R.; Wind, S.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 126801.
10. Dekker: C. Phys. Today 1999, 52, 22-28.
11. Kong, J.; Soh, H. T.; Cassell, A. M.; Quate, C. F.; Dai, H. Nature 1998, 395, 878. Wind, S. J.; Martel, R.; Avouris, Ph. J. Vac. Sci. Technol., B 2002, 20, 2745-2748.
12. Kong, J.; Soh, H. T.; Cassell, A. M.; Quate, C. F.; Dai, H. Nature 1998, 395, 878. Wind, S. J.; Martel, R.; Avouris, Ph. J. Vac. Sci. Technol., B 2002, 20, 2745-2748.
13. Marty, L.; Bonchiat, V.; Bonnot, A. M.; Chaumont, M.; Fournier, T.; Decossas, S.; Roche, S. Microelectron. Eng. 2002, 61-62, 485.
14. Franklin, N. R.; Wang Q.; Tombler, T. W.; Javey, A.; Shim, M.; Dal, H. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 913-915.
15. Diehl, M. R.; Yaliraki S. N.; Beckman, R. A. Barahona, M.; Heath J. R. Angew. Chem., Int. Ed. 2002, 41, 353. Valentin, E.; Auvray, S.; Goethals, J.; Lewenstein, J.; Capes, L.; Filoramo, A.; Ribayrol, A.; Tsui, R.; Bourgoin, J.-P.; Patillon, J. N. Microelectron. Eng. 2002, 61, 491.
16. Diehl, M. R.; Yaliraki S. N.; Beckman, R. A. Barahona, M.; Heath J. R. Angew. Chem., Int. Ed. 2002, 41, 353. Valentin, E.; Auvray, S.; Goethals, J.; Lewenstein, J.; Capes, L.; Filoramo, A.; Ribayrol, A.; Tsui, R.; Bourgoin, J.-P.; Patillon, J. N. Microelectron. Eng. 2002, 61, 491.
17. Qi, P.; Vermesh, O.; Grecu, M.; Javey, A.; Wang, Q.; Dai, H.; Peng, S.; Cho, K. J. Nano Lett. 2003, 3, 347.
18. Bonnot, A. M.; Mathis, B. S.; Moulin, S. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 1754.
19. Marty, L.; Naud, C.; Bouchiat, V.; Roche, S.; Chaumont, M.; Fournier, T. ; Bonnot, A. M. Phys. Rev. Lett., submitted for publication.
20. Martel, R.; Derycke, V.; Lavoie, C.; Appenzeller, J.; Chan, K. K.; Tersoff, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 256805.
21. Zhang, Y.; Ichihashi, T.; Landree, E.; Nihey, F.; Iijima, S. Science 1999, 285, 1719-1722.
22. Lu, K. L.; Lago, R. M.; Chen, Y. K.; Green, M. L. H.; Harris, P. J. F.; Tsang, S. C. Carbon 1996, 34, 814. Wong, S. S.; Joselevich, E.; Woolley, A. T.; Cheung, C. L.; Lieber, C. M. Nature 1998, 394, 52.
23. Lu, K. L.; Lago, R. M.; Chen, Y. K.; Green, M. L. H.; Harris, P. J. F.; Tsang, S. C. Carbon 1996, 34, 814. Wong, S. S.; Joselevich, E.; Woolley, A. T.; Cheung, C. L.; Lieber, C. M. Nature 1998, 394, 52.
24. Collins, P. G.; Arnold, M. S.; Avouris, Ph. Science 2001, 292, 706.
25. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2773.
26. Babic, B.; Iqbal, M.; Schönenberger, C. Nanotechnology 2003, 14, 327.
27. Cui, J. B.; Sordan, R.; Burghard, M.; Kern, K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3260.
28. Radosavljevic, M.; Freitag, M.; Thadani, K. V.; Johnson, A. T. Nano Lett. 2002, 2, 761.
29. Fuhrer, M. S.; Kim, B. M.; Dürkop, T.; Britlinger, T. Nano Lett. 2002, 2, 755.
30. Kim, W.; Javey, A.; Vermesch, O.; Wiang, Q.; Li, Y.; Dai, H. Nano Lett. 2003, 3, 193.
31. Yoneya, N.; Tsukagoshi, K.; Aoyagi, Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2250.
32. Katz, H. E.; Hong, X. M.; Dodabalapur, A.; Sarpeshkar, R. J. Appl. Phys. 2002, 91, 1572.
33. Vanheusden, K.; Warren, W. L.; Devine, R. A. B.; Fleetwood, D. M.; Schwank, J. R.; Shaneyfelt, M. R.; Winokur, P. S.; Lemnios, Z. J. Nature 1997, 386, 587.
34. Yano, K.; Ishii, T.; Sano, T.; Mine, T.; Murai, F.; Hashimoto, T.; Kobayashi, T.; Kure, T.; Seki, K. Proc. IEEE 1999, 87, nr4.
35. Futatsugi, T.; Nakajima, A.; Nakao, H. Fujitsu Sci. Tech. J. 1998, 34, 142.
36. Cui, J. B.; Burghard, M.; Kern, K. Nano Lett. 2002, 2, 117.
37. Woodside, M. T.; McEuen, P. L. Science 2002, 296, 1098.
38. Ruzin, I. M.; Chandrasekhar, V.; Levin, E. I.; Glazman, L. I. Phys. Rev. B 1992, 45, 13469.
39. Tans, S. J.; Devoret, M. H.; Dai, H.; Thess, A.; Smalley, R. E.; Geerligs, L. J.; Dekker, C. Nature 1997, 386, 474.
40. Smith, R. A.; Ahmed, H. J. Appl. Phys. 1997, 81, 2699.
41. Evans, G. J.; Mizuta, H.; Ahmed, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 5837.
42. Freitag, M.; Johnson, A. T.; Kalinin, S. V.; Bormell, D. A. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 216801.
43. Sato, T.; Ahmed, H.; Brown, D.; Johnson, B. F. G. J. Appl. Phys. 1997, 82, 696.